参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHB22N60ET1-GE3
说明	功率MOSFET   600V
品牌	Vishay(威世)
起订量	800
最小包	800
现货	1909 [库存更新时间：2024-05-08]
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	21A
Rds On(Max)@Id,Vgs	180mΩ
栅极电压Vgs	4V
Qg-栅极电荷	57nC
配置	Single
系列	E
FET类型	N-Channel
下降时间	35ns
上升时间	27ns
典型关闭延迟时间	66ns
典型接通延迟时间	18ns
Pd-功率耗散(Max)	227W
电压	600V
工作温度	-55°C~150°C