参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI2304DDS-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOT-23-3
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6309 [库存更新时间：2024-05-24]
零件号别名	SI2304DDS-GE3
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	235pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
连续漏极电流Id	3.6A
Pd-功率耗散(Max)	1.7W
Qg-栅极电荷	6.7nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	60mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	1.2V
上升时间	12ns
下降时间	5ns
典型关闭延迟时间	10ns
典型接通延迟时间	5ns
正向跨导 - 最小值	11S
系列	SI2
通道数量	1Channel
配置	Single