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    SIHG33N60E-GE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:功率MOSFET

    库存:1309 Pcs [库存更新时间:2024-05-13]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SIHG33N60E-GE3
    说明功率MOSFET   TO-247-3 15.87mm
    品牌Vishay(威世)
    起订量500
    最小包500
    现货1309 [库存更新时间:2024-05-13]
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)150nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)3508pF @ 100V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳TO-247-3
    连续漏极电流Id33A
    Pd-功率耗散(Max)278W
    Qg-栅极电荷103nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs98mΩ
    漏源极电压Vds600V
    栅极电压Vgs4V
    上升时间43ns
    下降时间48ns
    典型关闭延迟时间161ns
    典型接通延迟时间28ns
    宽度5.31mm
    系列E
    通道数量1Channel
    配置Single
    长度15.87mm
    高度20.82mm

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