参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHA11N80E-GE3
说明	功率MOSFET   TO-220-3
品牌	Vishay(威世)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2306 [库存更新时间：2025-04-18]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	88nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1670pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
连续漏极电流Id	12A
Pd-功率耗散(Max)	34W
Qg-栅极电荷	88nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	380mΩ
漏源极电压Vds	800V
栅极电压Vgs	4V
上升时间	15ns
下降时间	18ns
典型关闭延迟时间	55ns
典型接通延迟时间	18ns
正向跨导 - 最小值	4.5S
系列	E
通道数量	1Channel
配置	Single