参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHP33N60E-GE3
说明	功率MOSFET   TO-220-3 10.41mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2309 [库存更新时间：2025-04-22]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3508pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
连续漏极电流Id	33A
Pd-功率耗散(Max)	278W
Qg-栅极电荷	100nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	99mΩ
漏源极电压Vds	600V
栅极电压Vgs	4V
上升时间	60ns
下降时间	54ns
典型关闭延迟时间	99ns
典型接通延迟时间	28ns
宽度	4.7mm
系列	E
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	10.41mm
高度	15.49mm