参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6785MTRPBF
说明	功率MOSFET   MG-WDSON-5
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-18]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	3.4A(Ta),19A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	36nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1500pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta),57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@4.2A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-5