参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLHM620TRPBF
说明	功率MOSFET   PQFN(3x3)
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-19]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	78nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3620pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	2.7W(Ta),37W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	78nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3620pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5mΩ@20A,4.5V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	26A
封装/外壳	PQFN(3x3)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V