参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFR8314TRPBF
说明	功率MOSFET   D-PAK(TO-252AA)
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-19]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	54nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4945pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	125W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	54nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4945pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.2mΩ@90A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	179A
封装/外壳	D-PAK(TO-252AA)