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> 功率因数修正(PFC)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率因数修正(PFC) | MP44011HS-LF | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 功率因数修正(PFC) | MP44011HS-LF-Z | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 功率因数修正(PFC) | MP44010HS-LF | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 功率因数修正(PFC) | MP44010HS-LF-Z | ||
| 功率因数修正(PFC) | MP44010HP-LF | ||
| 功率因数修正(PFC) | IRS2505LTRPBF | 封装/外壳:SOT23 模式:临界传导(CRM) 电流 - 启动:60µA 电压 - 电源:10.5 V ~ 20.8 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:µPFC™ 电流-启动:60µA 电压-电源:10.5 V ~ 20.8 V | |
| 功率因数修正(PFC) | ICE3PCS03GXUMA1 | 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-25°C ~ 125°C 模式:连续导电(CCM) 电压-供电:11V ~ 25V 电流-启动:380uA 频率-开关:21kHz ~ 250kHz | |
| 功率因数修正(PFC) | ICE3PCS01GXUMA1 | 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-25°C ~ 125°C 模式:连续导电(CCM) 电压-供电:11V ~ 25V 电流-启动:380uA 频率-开关:21kHz ~ 100kHz | |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863-2G | 封装/外壳:PG-DSO-8 开关频率:30kHzto300kHz 高度:1.47mm 长度:4.9mm 系列:TDA4863 FET类型:PFCPowerSupplyController 宽度:3.94mm 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| 功率因数修正(PFC) | MP44014-AGS | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 功率因数修正(PFC) | L6562DTR | 模式:间歇(跃迁) 频率-开关:1MHz 电流-启动:40µA 电压-电源:10.3 V ~ 22 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO | |
| 功率因数修正(PFC) | L6562ADTR | ||
| 功率因数修正(PFC) | L4981AD013TR | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO | |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2548DSTRPBF | 封装/外壳:SOIC 14N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:42.5kHz ~ 46.5kHz 电流 - 启动:250µA 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:42.5kHz ~ 46.5kHz 电流-启动:250µA 电压-电源:11.5 V ~ 16.6 V | |
| 功率因数修正(PFC) | IRS25411STRPBF | 封装/外壳:SOIC 8N FET类型:DC DC 控制器 拓扑:降压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:8V 电压 - 供电（最高）:16.6V 频率:500kHz 调光:PWM 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-供电（最低）:8V 电压- 供电（最高）:16.6V | |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2505LTRPBF | 封装/外壳:SOT23 模式:临界传导(CRM) 电流 - 启动:60µA 电压 - 电源:10.5 V ~ 20.8 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:µPFC™ 电流-启动:60µA 电压-电源:10.5 V ~ 20.8 V | |
| 功率因数修正(PFC) | IR1169STRPBF | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.25V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,4A 输入类型:反相 上升/下降时间（典型值）:20ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:Advanced Smart Rectifier™ 电压-电源:11 V ~ 19 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.25V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,4A | |
| 功率因数修正(PFC) | IR11688STRPBF | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:13mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:13mA | |
| 功率因数修正(PFC) | IR1161LTRPBF | 封装/外壳:SOT23 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:5mA | |
| 功率因数修正(PFC) | IR1155STRPBF | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:可调式 电流 - 启动:175µA 电压 - 电源:12 V ~ 19 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:可调式 Current-Startup:175µA 电压-电源:12 V ~ 19 V 开关频率:48kHzto200kHz 功率:0.976W | |
| 功率因数修正(PFC) | IR1153SPBF | 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-25°C ~ 125°C 模式:连续导电(CCM) 电压-供电:14V ~ 17V 电流-启动:26uA 频率-开关:22.2kHz | |
| 功率因数修正(PFC) | ICE3PCS03GXUMA1 | 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-25°C ~ 125°C 模式:连续导电(CCM) 电压-供电:11V ~ 25V 电流-启动:380uA 频率-开关:21kHz ~ 250kHz | |
| 功率因数修正(PFC) | ICE2PCS01GXUMA1 | 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C 模式:连续导电(CCM) 电压-供电:11V ~ 25V 电流-启动:450uA 频率-开关:50kHz ~ 315kHz | |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1608BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:24µA 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | L6562ADTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:30µA 电压-电源:10.5 V ~ 22.5 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L4981AD013TR | ST(意法半导体) | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6564TDTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:90µA 电压-电源:10.3 V ~ 22.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-SSOP |
| 功率因数修正(PFC) | L6563HTR | ST(意法半导体) | 功率:3/4W 湿度敏感性:Yes 系列:L6563 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | L6561D013TR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:50µA 电压-电源:11 V ~ 18 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6562DTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 频率-开关:1MHz 电流-启动:40µA 电压-电源:10.3 V ~ 22 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | MC33262DR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) 电流-启动:250µA 电压-电源:12 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862G GEG | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 开关频率:30kHzto300kHz 高度:1.50mm 长度:5mm 系列:TDA4862 宽度:4mm |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1607BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:23.5µA 电压-电源:9.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电流 - 启动:23.5µA 电压 - 电源:9.5 V ~ 20 V |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863-2G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 开关频率:30kHzto300kHz 高度:1.47mm 长度:4.9mm 系列:TDA4863 FET类型:PFCPowerSupplyController 宽度:3.94mm 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 高度:1.47mm 长度:4.9mm 系列:TDA4863 FET类型:PowerFactorCorrectionController 宽度:3.94mm 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1608BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:24µA 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | MC33262DR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) 电流-启动:250µA 电压-电源:12 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | FAN7930CMX-G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) 频率 - 开关:250kHz ~ 350kHz 电流 - 启动:120µA 电压 - 电源:13 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1608BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:24µA 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | MC33262DR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) 电流-启动:250µA 电压-电源:12 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | FAN7930CMX-G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) 频率 - 开关:250kHz ~ 350kHz 电流 - 启动:120µA 电压 - 电源:13 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 功率因数修正(PFC) | L6564TDTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:90µA 电压-电源:10.3 V ~ 22.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-SSOP |
| 功率因数修正(PFC) | L6564TDTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:90µA 电压-电源:10.3 V ~ 22.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-SSOP |
| 功率因数修正(PFC) | L6563HTR | ST(意法半导体) | 功率:3/4W 湿度敏感性:Yes 系列:L6563 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | L6562DTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 频率-开关:1MHz 电流-启动:40µA 电压-电源:10.3 V ~ 22 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6562ADTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:30µA 电压-电源:10.5 V ~ 22.5 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6561D013TR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:50µA 电压-电源:11 V ~ 18 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L4981AD013TR | ST(意法半导体) | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6564TDTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:90µA 电压-电源:10.3 V ~ 22.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-SSOP |
| 功率因数修正(PFC) | L6563HTR | ST(意法半导体) | 功率:3/4W 湿度敏感性:Yes 系列:L6563 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | L6562DTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 频率-开关:1MHz 电流-启动:40µA 电压-电源:10.3 V ~ 22 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6562ADTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:30µA 电压-电源:10.5 V ~ 22.5 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6561D013TR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:50µA 电压-电源:11 V ~ 18 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L4981AD013TR | ST(意法半导体) | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167BSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):80mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167ASTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):65mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1155STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:可调式 电流 - 启动:175µA 电压 - 电源:12 V ~ 19 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:可调式 Current-Startup:175µA 电压-电源:12 V ~ 19 V 开关频率:48kHzto200kHz 功率:0.976W |
| 功率因数修正(PFC) | TDA48632GXUMA2 | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电流 - 启动:20µA 电压 - 电源:12.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 封装/外壳:PG-DSO-8 起动电源电流:100µA 最大源电流:-6mA 最大反向电流:30mA 最大电源电流:20 mA 封装/外壳:SOIC 引脚数目:8 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 高度:1.50mm 长度:5mm 最大工作电源电压:22 V 最高工作温度:+150 °C 最小工作电源电压:-0.3 V 宽度:4mm 最低工作温度:-40°C |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862GGEGXUMA2 | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 封装/外壳:PG-DSO-8-1 起动电源电流:4 → 6mA 最大源电流:-12mA 最大反向电流:4mA 最大电源电流:8(动态)mA 零功率检测:是 封装/外壳:DSO 引脚数目:8 封装/外壳:5 x 4 x 1.45mm 高度:1.45mm 长度:5mm 最高工作温度:+150 °C 宽度:4mm 最低工作温度:-40 °C 最小工作电源电压:-0.3 V |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862 | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DIP-8 RoHS compliant:yes IQ max:500.0mA VCC min max:11.0 V 19.0 V Iq:75.0 µA Mounting:THT Applications:el. Ballast, SMPS IQ max:500.0 mA VCC min max:11.0V 19.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:30 - 300kHz ICC max:50.0mA ICC max:50.0 mA |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2548DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:42.5kHz ~ 46.5kHz 电流 - 启动:250µA 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:42.5kHz ~ 46.5kHz 电流-启动:250µA 电压-电源:11.5 V ~ 16.6 V |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2552DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:CCFL/EEFL 控制器 频率:39kHz ~ 69kHz 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 电流 - 电源:10mA 调光:是 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:PG-DSO-16 |
| 功率因数修正(PFC) | IRS25411STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N FET类型:DC DC 控制器 拓扑:降压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:8V 电压 - 供电（最高）:16.6V 频率:500kHz 调光:PWM 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-供电（最低）:8V 电压- 供电（最高）:16.6V |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862G GEG | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 开关频率:30kHzto300kHz 高度:1.50mm 长度:5mm 系列:TDA4862 宽度:4mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1168STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:8.6 V ~ 18 V 电流 - 电源:48mA 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:8.6 V ~ 18 V 电流-电源:48mA |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2552DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:CCFL/EEFL 控制器 频率:39kHz ~ 69kHz 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 电流 - 电源:10mA 调光:是 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:PG-DSO-16 |
| 功率因数修正(PFC) | IR11688STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:13mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:13mA |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2548DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:42.5kHz ~ 46.5kHz 电流 - 启动:250µA 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:42.5kHz ~ 46.5kHz 电流-启动:250µA 电压-电源:11.5 V ~ 16.6 V |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167BSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):80mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IRS25411STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N FET类型:DC DC 控制器 拓扑:降压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:8V 电压 - 供电（最高）:16.6V 频率:500kHz 调光:PWM 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-供电（最低）:8V 电压- 供电（最高）:16.6V |
| 功率因数修正(PFC) | IR11672ASTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 输入:200V 电压 - 电源:11.4 V ~ 18 V 电流 - 电源:50mA 工作温度:-25°C ~ 125°C 系列:Advanced Smart Rectifier™ 电压-输入:200V 电压-电源:11.4 V ~ 18 V 电流-电源:50mA |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2505LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 模式:临界传导(CRM) 电流 - 启动:60µA 电压 - 电源:10.5 V ~ 20.8 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:µPFC™ 电流-启动:60µA 电压-电源:10.5 V ~ 20.8 V |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167ASTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):65mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1161LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:5mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR1155STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:可调式 电流 - 启动:175µA 电压 - 电源:12 V ~ 19 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:可调式 Current-Startup:175µA 电压-电源:12 V ~ 19 V 开关频率:48kHzto200kHz 功率:0.976W |
| 功率因数修正(PFC) | IR1153STRPBF | Infineon(英飞凌) | 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:22.2kHz 电流 - 启动:26µA 电压 - 电源:14 V ~ 17 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:SOIC 8N |
| 功率因数修正(PFC) | IR11452STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:66kHz 电流 - 启动:150µA 电压 - 电源:85 ~ 264VAC |
| 功率因数修正(PFC) | IR1169STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.25V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,4A 输入类型:反相 上升/下降时间（典型值）:20ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:Advanced Smart Rectifier™ 电压-电源:11 V ~ 19 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.25V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,4A |
| 功率因数修正(PFC) | IR1168STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:8.6 V ~ 18 V 电流 - 电源:48mA 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:8.6 V ~ 18 V 电流-电源:48mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR11688STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:13mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:13mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR11682STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:8.6 V ~ 18 V 电流 - 电源:48mA 工作温度:-25°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:8.6 V ~ 18 V 电流-电源:48mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167BSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):80mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167ASTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):65mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR11672ASTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 输入:200V 电压 - 电源:11.4 V ~ 18 V 电流 - 电源:50mA 工作温度:-25°C ~ 125°C 系列:Advanced Smart Rectifier™ 电压-输入:200V 电压-电源:11.4 V ~ 18 V 电流-电源:50mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR11662STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11.4 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,4A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:21ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:Advanced Smart Rectifier™ 电压-电源:11.4 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,4A |
| 功率因数修正(PFC) | IR1161LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:5mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR1155STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:可调式 电流 - 启动:175µA 电压 - 电源:12 V ~ 19 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:可调式 Current-Startup:175µA 电压-电源:12 V ~ 19 V 开关频率:48kHzto200kHz 功率:0.976W |
| 功率因数修正(PFC) | IR1153STRPBF | Infineon(英飞凌) | 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:22.2kHz 电流 - 启动:26µA 电压 - 电源:14 V ~ 17 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:SOIC 8N |
| 功率因数修正(PFC) | IR11452STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:66kHz 电流 - 启动:150µA 电压 - 电源:85 ~ 264VAC |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 高度:1.47mm 长度:4.9mm 系列:TDA4863 FET类型:PowerFactorCorrectionController 宽度:3.94mm 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863-2G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 开关频率:30kHzto300kHz 高度:1.47mm 长度:4.9mm 系列:TDA4863 FET类型:PFCPowerSupplyController 宽度:3.94mm 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863-2 | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电流 - 启动:20µA 电压 - 电源:12.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DIP-8 IQ max:500.0mA VCC min max:10.0 V 20.0 V Iq:20.0µA Mounting:THT Applications:el. Ballast, SMPS IQ max:500.0 mA VCC min max:10.0V 20.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:30 - 300kHz ICC max:20.0mA ICC max:20.0 mA RoHS compliant:yes |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4863 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DIP-8 模式:间歇导电(DCM) 电流 - 启动:20µA 电压 - 电源:12.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 150°C RoHS compliant:yes IQ max:500.0mA VCC min max:10.0 V 20.0 V Iq:20.0µA Mounting:THT Applications:el. Ballast, SMPS IQ max:500.0 mA VCC min max:10.0V 20.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:30 - 300kHz ICC max:20.0mA ICC max:20.0 mA |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 工作温度:-40.0 °C 150.0 °C Budgetary Price €/1k:0.28 IQ max:500.0mA VCC min max:11.0 V 19.0 V Iq:75.0 µA Mounting:SMT Applications:el. Ballast, SMPS Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:30 - 300kHz ICC max:50.0mA |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862 | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DIP-8 RoHS compliant:yes IQ max:500.0mA VCC min max:11.0 V 19.0 V Iq:75.0 µA Mounting:THT Applications:el. Ballast, SMPS IQ max:500.0 mA VCC min max:11.0V 19.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:30 - 300kHz ICC max:50.0mA ICC max:50.0 mA |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2505L | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 Moisture Level:1 Ohms Over Voltage Protection:Yes Applications:el. Ballast, SMPS VCC min max:9.0V 20.8V Output Current Type:MOSFET Gate Driver ICC max:25.0mA VCCUV-:7.9V VCCUV+:11.1V IQ4:60.0µA Out Peak Current min max:0.05A 0.45A |
| 功率因数修正(PFC) | IR1155S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC8N Moisture Level:2 Over Voltage Protection:Yes Switching Frequency min max:48.0kHz 200.0kHz Applications:SMPS VCC min max:12.0V 20.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver ICC max:13.0mA VCCUV-:9.8V Out Peak Current max:1.5A VCCUV+:11.3V IQ4:175.0µA |
| 功率因数修正(PFC) | IR1153S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC8N Over Voltage Protection:Yes Moisture Sensitivity Level:2 Applications:SMPS Switching Frequency max:22.2kHz VCC min max:14.0V 20.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver ICC max:8.0mA VCCUV-:10.1V Out Peak Current max:0.75A VCCUV+:13.1V |
| 功率因数修正(PFC) | TDA4862GGEGXUMA2 | Infineon(英飞凌) | 模式:间歇导电(DCM) 电压 - 电源:11 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 封装/外壳:PG-DSO-8-1 起动电源电流:4 → 6mA 最大源电流:-12mA 最大反向电流:4mA 最大电源电流:8(动态)mA 零功率检测:是 封装/外壳:DSO 引脚数目:8 封装/外壳:5 x 4 x 1.45mm 高度:1.45mm 长度:5mm 最高工作温度:+150 °C 宽度:4mm 最低工作温度:-40 °C 最小工作电源电压:-0.3 V |
| 功率因数修正(PFC) | AP1662MTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:交直流离线开关 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:10.3V 电压- 供电（最高）:22V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC |