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> 功率因数修正(PFC)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1608BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:24µA 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | IR11682STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:8.6 V ~ 18 V 电流 - 电源:48mA 工作温度:-25°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:8.6 V ~ 18 V 电流-电源:48mA |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167BSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):80mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | MC33262DR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) 电流-启动:250µA 电压-电源:12 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | L6561D013TR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:50µA 电压-电源:11 V ~ 18 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |