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> 功率因数修正(PFC)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率因数修正(PFC) | L6562DTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 频率-开关:1MHz 电流-启动:40µA 电压-电源:10.3 V ~ 22 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6562ADTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:30µA 电压-电源:10.5 V ~ 22.5 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 功率因数修正(PFC) | IRS2505LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 模式:临界传导(CRM) 电流 - 启动:60µA 电压 - 电源:10.5 V ~ 20.8 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:µPFC™ 电流-启动:60µA 电压-电源:10.5 V ~ 20.8 V |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1607BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:23.5µA 电压-电源:9.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电流 - 启动:23.5µA 电压 - 电源:9.5 V ~ 20 V |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167BSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):80mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1167ASTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:2V,2.15V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:18ns,10ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:12 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:2V,2.15V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,7A 功率:0.97W 上升时间:180 ns 下降时间:30 ns 传播延迟—最大值:60 ns 宽度:4mm 工作电源电流(mA):65mA 最大时钟频率:500kHz 激励器数量:1 Driver 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:12 V 输出电压:200V 输出电流:7 A 输出端数量:1Output 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 功率因数修正(PFC) | IR1155STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 模式:连续导电(CCM) 频率 - 开关:可调式 电流 - 启动:175µA 电压 - 电源:12 V ~ 19 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 频率-开关:可调式 Current-Startup:175µA 电压-电源:12 V ~ 19 V 开关频率:48kHzto200kHz 功率:0.976W |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1608BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:24µA 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率因数修正(PFC) | L4981AD013TR | ST(意法半导体) | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L4981AD013TR | ST(意法半导体) | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO |
| 功率因数修正(PFC) | L6563HTR | ST(意法半导体) | 功率:3/4W 湿度敏感性:Yes 系列:L6563 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 功率因数修正(PFC) | L6562DTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 频率-开关:1MHz 电流-启动:40µA 电压-电源:10.3 V ~ 22 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |