参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFH5303TRPBF
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 QFN PQFN(5x6)
起订量	0
最小包	0
现货	469 [库存更新时间：2024-04-10]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	23A(Ta),82A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	41nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2190pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	3.6W(Ta),46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.2m Ohms@49A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	QFN
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	23A
漏源极电压Vds	30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	41nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2190pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
封装/外壳	PQFN(5x6)