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    IRF6633ATRPBF

    产品:通用MOSFET

    库存:468 Pcs [库存更新时间:2024-03-19]

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    产品概述
    参数
    产品通用MOSFET
    型号编码IRF6633ATRPBF
    说明通用MOSFET   DirectFET™等距MU Direct-FET DIRECTFET™MU
    起订量0
    最小包0
    现货468 [库存更新时间:2024-03-19]
    系列HEXFET®
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds20V
    连续漏极电流Id16A(Ta),69A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)17nC @ 4.5V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)1410pF @ 10V
    栅极电压Vgs±20V
    Pd-功率耗散(Max)2.3W(Ta),42W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs5.6m Ohms@16A,10V
    工作温度-40°C~150°C(TJ)
    封装/外壳DirectFET™ 等距 MU
    封装/外壳Direct-FET
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds16V
    连续漏极电流Id20A
    漏源极电压Vds20V
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)17nC
    电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs4.5V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1410pF
    电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds10V
    封装/外壳DIRECTFET™ MU

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