参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF6633ATRPBF
说明	通用MOSFET   DirectFET™等距MU Direct-FET DIRECTFET™MU
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现货	468 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	16A(Ta),69A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1410pF @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.3W(Ta),42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.6m Ohms@16A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	DirectFET™ 等距 MU
封装/外壳	Direct-FET
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	16V
连续漏极电流Id	20A
漏源极电压Vds	20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1410pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V
封装/外壳	DIRECTFET™ MU