参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFH8202TRPBF
说明	功率MOSFET   8-PQFN(5x6)
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-19]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7174pF @ 13V
Pd-功率耗散(Max)	3.6W(Ta),160W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®,StrongIRFET™
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	7174pF @ 13V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.05mΩ@50A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	47A
封装/外壳	8-PQFN(5x6)