参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLB4132PBF
说明	功率MOSFET   10mm
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-22]
漏源极电压Vds	30V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	54nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5110pF @ 15V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	150A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	54nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	140W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
正向跨导 - 最小值	190S
下降时间	36ns
上升时间	92ns
典型关闭延迟时间	25ns
典型接通延迟时间	23ns