参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSP129H6327XTSA1
说明	通用MOSFET   PG-SOT223-4 SOT-223 PG-SOT223-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	1000
现货	13668 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	SIPMOS®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	350mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	0V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 108µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.7nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	108pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
FET类型	耗尽模式
Pd-功率耗散(Max)	1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6 Ohms@350mA,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT223-4
封装/外壳	SOT-223
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	240V
连续漏极电流Id	0.35A
漏源极电压Vds	240V
封装/外壳	PG-SOT223-4