IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 射频放大器 | BGA924N6E6327XTSA1 | 频率:1.559GHz ~ 1.61GHz P1dB:-8dBm 增益:16.2dB 噪声系数:0.55dB RF 类型:Galileo,GLONASS,GPS 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.85mA 测试频率:1.55GHz ~ 1.615GHz 封装/外壳:TSNP-6-2 封装/外壳:TSNP-6-2 | |
| 射频放大器 | BGA824N6E6327XTSA1 | P1dB:-9dBm 噪声系数:0.55dB 增益:17dB 封装/外壳:6-XFDFN 射频类型:Galileo,GLONASS,GPS 测试频率:1.55GHz ~ 1.615GHz 电压-供电:1.5V ~ 3.3V 电流-供电:3.8mA 频率:1.55GHz ~ 1.615GHz | |
| 射频放大器 | BGA777N7E6327XTSA1 | 噪声系数:1.2dB 增益:16dB 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 射频类型:UMTS 测试频率:2.3GHz ~ 2.7MHz 电压-供电:2.6V ~ 3V 电流-供电:4.2mA 频率:2.3GHz ~ 2.7GHz | |
| 射频放大器 | BGA751N7E6327XTSA1 | 频率:850MHz 增益:15.3dB 噪声系数:1.1dB RF 类型:手机 电压 - 电源:2.6V ~ 3V 电流 - 电源:3.3mA 封装/外壳:TSNP-7-1 封装/外壳:TSNP-7-1 | |
| 射频放大器 | BGA715N7E6327XTSA2 | 噪声系数:0.7dB 增益:20dB 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 射频类型:GPS/GNSS 测试频率:1.575GHz 电压-供电:1.5V ~ 3.3V 电流-供电:3.3mA 频率:1.55GHz ~ 1.615GHz | |
| 射频放大器 | BGA524N6E6327XTSA1 | P1dB:-16dBm 噪声系数:0.55dB 增益:19.6dB 封装/外壳:6-XFDFN 射频类型:GPS/GNSS 测试频率:1.55GHz ~ 1.615GHz 电压-供电:1.5V ~ 3.3V 电流-供电:2.5mA 频率:1.55GHz ~ 1.615GHz | |
| 射频放大器 | AN26072A-NL | ||
| 射频放大器 | AN26014A-NL | ||
| 射频放大器 | BGA8V1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | P1dB:-3dBm 噪声系数:1.2dB ~ 5.3dB 封装/外壳:6-XFDFN 测试频率:3.4GHz ~ 3.8GHz 电压-供电:1.6V ~ 3.1V 电流-供电:4.2mA 频率:3.4GHz ~ 3.8GHz |
| 射频放大器 | BGA8U1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | P1dB:-5dBm 噪声系数:1.6dB ~ 5dB 封装/外壳:6-XFDFN 测试频率:5.15GHz ~ 5.85GHz 电压-供电:1.6V ~ 3.1V 电流-供电:4mA 频率:5.15GHz ~ 5.85GHz |
| 射频放大器 | LTE-16K3L | Lite-On(光宝) | 系列:LTE 功率:0.09W 电压:3V |
| 射频放大器 | MGA-43728-TR1G | Broadcom(博通) | 频率:2.62GHz ~ 2.69GHz P1dB:36dBm 增益:38.3dB 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:350mA 测试频率:2.65GHz 封装/外壳:28-VFQFN 裸露焊盘 |
| 射频放大器 | MGA-13316-TR1G | Broadcom(博通) | 频率:2.2GHz ~ 4GHz P1dB:23.5dBm 增益:34.3dB 噪声系数:0.76dB RF 类型:CDMA,GSM,WCDMA 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:116mA 测试频率:2.5GHz 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 |
| 射频放大器 | MGA-13216-TR1G | Broadcom(博通) | 频率:1.5GHz ~ 2.5GHz P1dB:23.6dB 增益:35.8dB 噪声系数:0.61dB RF 类型:CDMA,GSM,WCDMA 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:122mA 测试频率:1.95GHz 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 |
| 射频放大器 | MGA-43728-TR1G | Broadcom(博通) | 频率:2.62GHz ~ 2.69GHz P1dB:36dBm 增益:38.3dB 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:350mA 测试频率:2.65GHz 封装/外壳:28-VFQFN 裸露焊盘 |
| 射频放大器 | MGA-13316-TR1G | Broadcom(博通) | 频率:2.2GHz ~ 4GHz P1dB:23.5dBm 增益:34.3dB 噪声系数:0.76dB RF 类型:CDMA,GSM,WCDMA 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:116mA 测试频率:2.5GHz 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 |
| 射频放大器 | MGA-13216-TR1G | Broadcom(博通) | 频率:1.5GHz ~ 2.5GHz P1dB:23.6dB 增益:35.8dB 噪声系数:0.61dB RF 类型:CDMA,GSM,WCDMA 电压 - 电源:5V 电流 - 电源:122mA 测试频率:1.95GHz 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 |
| 射频放大器 | LTE-S9511-E | Lite-On(光宝) | 系列:LTE FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:25° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206 电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 20mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V |
| 射频放大器 | BGM 7MLLM4L12 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-12 |
| 射频放大器 | BGM 17LBA15 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-15 |
| 射频放大器 | BGM 15MA12 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-12 |
| 射频放大器 | BGM 15LBA12 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-12 |
| 射频放大器 | BGM 15LA12 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-12 |
| 射频放大器 | BGM 15HA12 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-12 |
| 射频放大器 | BGM 13HBA9 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-9 |
| 射频放大器 | BGM 13GBA9 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-9 |
| 射频放大器 | BGM 12LBA9 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-9 |
| 射频放大器 | BGC 100GN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGB 741L7ESD E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-7 FET类型:ESD-RobustBroadbandLNAMMIC 工作频率:50MHzto5.5GHz P1dB - 压缩点:-6.5dBm 增益:20dB 工作电源电压:3V NF—噪声系数:1.05dB 测试频率:1.5GHz OIP3 - 三阶截点:1dBm 工作电源电流(mA):10mA 系列:BGB741L7 通道数量:1Channel 功率:3/25W 电源电压-最大:4V 电源电压-最小:1.8V 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGB 707L7ESD E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-7 FET类型:LowNoiseAmplifier 工作频率:2.3GHzto2.7GHz P1dB - 压缩点:8dBm 增益:27dB 工作电源电压:3V NF—噪声系数:0.7dB 测试频率:1.5GHz OIP3 - 三阶截点:19.5dBm 工作电源电流(mA):10mA 系列:BGB707L7 功率:1/10W 电源电压-最大:4V 电源电压-最小:1.8V |
| 射频放大器 | BGA V1A10 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-10 |
| 射频放大器 | BGA U1A10 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-ATSLP-10 |
| 射频放大器 | BGA 925L6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-6 系列:BGA925L6 |
| 射频放大器 | BGA 924N6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 8V1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 8U1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 8L1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 8H1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 8G1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 825L6S E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-6 |
| 射频放大器 | BGA 824N6S E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 7M1N6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 7L1N6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 7L1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 7H1N6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 7H1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 777N7 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-7 |
| 射频放大器 | BGA 751N7 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-7 |
| 射频放大器 | BGA 735N16 E6327 | Infineon(英飞凌) | 噪声系数:1.1 dB 封装/外壳:PG-TSNP-16 工作电源电压:2.8 V 电源电流:4 mA FET类型:High Linearity Tri-Band 零件号别名:BGA735N16E6327XT BGA735N16E6327XTSA1 SP000659248 NF—噪声系数:1.1dB 工作电源电流(mA):4mA 系列:BGA735N16 工作温度:-30°C ~ 85°C |
| 射频放大器 | BGA 729N6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 725L6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-6 系列:BGA725L6 |
| 射频放大器 | BGA 715N7 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-7 系列:BGA715N7 |
| 射频放大器 | BGA 713N7 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-7 |
| 射频放大器 | BGA 6L1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 6H1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 622 H6820 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 FET类型:SiliconGermaniumMMIC 工作频率:1.575GHz 工作电源电压:2.75V NF—噪声系数:1dB 工作电源电流(mA):10mA 系列:BGA622 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 616 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 FET类型:SiliconGermaniumMMIC 工作频率:0Hzto2.7GHz P1dB - 压缩点:18dBm 增益:18dB 工作电源电压:6V NF—噪声系数:2.6dB 测试频率:2GHz OIP3 - 三阶截点:29dBm 工作电源电流(mA):60mA 系列:BGA616 功率:0.36W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 614 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 FET类型:SiliconGermaniumMMIC 工作频率:3GHz P1dB - 压缩点:12dBm 增益:17.5dB 工作电源电压:5V NF—噪声系数:2.1dB 测试频率:2GHz OIP3 - 三阶截点:25dBm 工作电源电流(mA):40mA 系列:BGA614 功率:6/25W 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:4.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 612 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 FET类型:SiliconGermaniumMMIC 工作频率:3GHz P1dB - 压缩点:7dBm 增益:16.3dB 工作电源电压:5V NF—噪声系数:2.1dB 测试频率:2GHz OIP3 - 三阶截点:17dBm 工作电源电流(mA):20mA 系列:BGA612 功率:0.225W 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:4.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 5M1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 5L1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 5H1BN6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 |
| 射频放大器 | BGA 524N6 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSNP-6 系列:BGA524 |
| 射频放大器 | BGA 427 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 FET类型:SiliconMMICAmplifier 工作频率:3GHz 工作电源电压:6V NF—噪声系数:2.2dB 工作电源电流(mA):25mA 系列:BGA427 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 420 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 FET类型:MMICAmplifier 工作频率:1.8GHz P1dB - 压缩点:-2.5dBm 增益:13dB 工作电源电压:3V NF—噪声系数:2.2dB OIP3 - 三阶截点:13dBm 工作电源电流(mA):6.7mA 系列:BGA420 频率范围:0.1GHzto3GHz 通道数量:1Channel 输入返回损失:12dB 隔离分贝:28dB 功率:0.09W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 416 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT143-4 FET类型:GeneralPurposeAmplifier 增益:14dB NF—噪声系数:1.6dB 测试频率:1.8GHz OIP3 - 三阶截点:14dBm 工作电源电流(mA):5.5mA 系列:BGA416 通道数量:1Channel 隔离分贝:40dB 功率:1/10W 电源电压-最大:5V 电源电压-最小:2.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 射频放大器 | BGA 123L4 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-4 |
| 射频放大器 | BGM7MLLM4L12E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 射频放大器 | BGM15LBA12E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 射频放大器 | BGM15MA12E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:1.7GHz ~ 2.2GHz P1dB:-10dBm 增益:16.7dB 噪声系数:1.15dB RF类型:LTE 电压-电源:2.2 V ~ 3.3 V 电流-电源:4.9mA 封装/外壳:ATSLP-12-2 P1dB:17dBm RF 类型:W-CDMA 电流 - 电源:5.9mA 测试频率:1.7GHz ~ 2.2GHz 封装/外壳:ATSLP-12-3 |
| 射频放大器 | BGM15LA12E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:700MHz ~ 1GHz P1dB:-11dBm 增益:17.5dB 噪声系数:1.1dB RF类型:LTE,W-CDMA 电压-电源:2.2 V ~ 3.3 V 电流-电源:4.9mA 封装/外壳:ATSLP-12-1 RF 类型:W-CDMA 电流 - 电源:5.9mA 测试频率:950MHz 封装/外壳:ATSLP-12-3 |
| 射频放大器 | BGM15HA12E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:2.3GHz ~ 2.7GHz P1dB:-8dBm 增益:16.3dB 噪声系数:1.2dB RF类型:LTE,W-CDMA 电压-电源:2.2 V ~ 3.3 V 电流-电源:4.9mA RF 类型:W-CDMA 电流 - 电源:5.9mA 测试频率:2.3GHz ~ 2.7GHz 封装/外壳:ATSLP-12-3 |
| 射频放大器 | BGM13HBA9E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 射频放大器 | BGM12LBA9E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 射频放大器 | BGB741L7ESDE6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:50MHz ~ 5.5GHz P1dB:-6.5dBm(0.2mW) 增益:19.5dB 噪声系数:1dB RF类型:手机,RKE,WiFi 电压-电源:1.8 V ~ 4 V 电流-电源:30mA 测试频率:1.5GHz P1dB:-6.5dBm 封装/外壳:TSLP-7-1 |
| 射频放大器 | BGAU1A10E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:5GHz P1dB:-1dBm 噪声系数:1.7dB ~ 6.5dB 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 电流 - 电源:5mA 封装/外壳:PG-ATSLP-10 |
| 射频放大器 | BGAV1A10E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:3.5GHz 增益:3.3dB ~ 17.4dB 噪声系数:1.3dB ~ 3.2dB 电压 - 电源:1.8V 电流 - 电源:4mA 封装/外壳:PG-ATSLP-10 |
| 射频放大器 | BGB707L7ESDE6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:2.3GHz,2.7GHz P1dB:8dBm 增益:27dB 噪声系数:0.7dB RF 类型:802.11a/b/g/n 电压 - 电源:1.8 V ~ 4 V 电流 - 电源:25mA 测试频率:1.5GHz 封装/外壳:TSLP-7-1 封装/外壳:TSLP-7-1 |
| 射频放大器 | BGA8U1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:5.15GHz ~ 5.85GHz P1dB:-5dBm 噪声系数:1.6dB ~ 5dB 电压 - 电源:1.6 V ~ 3.1 V 电流 - 电源:4mA 封装/外壳:TSNP-6-2 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA8L1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:703MHz ~ 960MHz P1dB:8dBm 噪声系数:0.75dB ~ 2.6dB 电压 - 电源:1.6 V ~ 3.1 V 电流 - 电源:5.7mA 封装/外壳:6-XFDFN 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA8G1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:1.452GHz ~ 1.61GHz P1dB:8dBm 噪声系数:0.8dB ~ 4.1dB 电压 - 电源:1.6 V ~ 3.1 V 电流 - 电源:4.7mA 封装/外壳:6-XFDFN 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA825L6SE6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:1.55GHz ~ 1.615GHz P1dB:-10dBm 增益:17dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:GPS 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:4.8mA 测试频率:1.575GHz 封装/外壳:TSLP-6-3 封装/外壳:TSLP-6-3 |
| 射频放大器 | BGA7M1N6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:1.8GHz ~ 2.2GHz P1dB:-7dBm 增益:13dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 封装/外壳:TSNP-6-2 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA7H1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:1.805GHz ~ 2.69GHz 增益:11dB 噪声系数:2.7dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:4.3mA 测试频率:2.69GHz 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA7L1N6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:728MHz ~ 960MHz P1dB:-10dBm 增益:13.3dB 噪声系数:0.9dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 封装/外壳:TSNP-6-2 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA7H1N6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:2.3GHz ~ 2.69GHz P1dB:-8dBm 增益:12.5dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.7mA 封装/外壳:TSNP-6-2 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA729N6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:70MHz ~ 1GHz 增益:16.3dB 噪声系数:1.05dB 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:6.3mA 封装/外壳:TSNP-6-2 封装/外壳:TSNP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA725L6E6327FTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:1.55GHz ~ 1.615GHz P1dB:-16dBm 增益:20dB 噪声系数:0.65dB RF类型:GPS/GNSS 电压-电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流-电源:3.6mA 封装/外壳:TSLP-6-2 封装/外壳:TSLP-6-2 |
| 射频放大器 | BGA713N7E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:700MHz,800MHz P1dB:-12dBm 增益:15.9dB 噪声系数:1.1dB RF 类型:UMTS 电压 - 电源:3.6V 电流 - 电源:4.8mA 封装/外壳:TSNP-7-1 封装/外壳:TSNP-7-1 |
| 射频放大器 | BGA6L1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 射频放大器 | BGA6H1BN6E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 射频放大器 | BGA616H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:0Hz ~ 2.7GHz P1dB:18dBm(63.1mW) 增益:19dB 噪声系数:2.5dB RF类型:CDMA,GSM,PCS 测试频率:1GHz 封装/外壳:SOT343 P1dB:18dBm 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| 射频放大器 | BGA622H6820XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:500MHz ~ 6GHz P1dB:-13dBm 增益:13.6dB 噪声系数:1.05dB RF 类型:DCS,GSM,ISM 电压 - 电源:3.5V 电流 - 电源:10mA 测试频率:2.14GHz 封装/外壳:SC-82A 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| 射频放大器 | BGA612H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:0Hz ~ 2.8GHz P1dB:7dBm(5mW) 增益:16.3dB 噪声系数:2.1dB RF类型:CDMA,GSM,PCS 测试频率:2GHz 封装/外壳:SOT343 P1dB:7dBm 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| 射频放大器 | BGA427H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:0Hz ~ 3GHz 增益:18.5dB 噪声系数:2.2dB 电压-电源:2 V ~ 5 V 电流-电源:25mA 测试频率:1.8GHz 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| 射频放大器 | BGA416E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:100MHz ~ 3GHz P1dB:-3dBm 增益:11dB 噪声系数:1.6dB RF 类型:手机,GSM,CDMA,TDMA,UMTS 电压 - 电源:2.5 V ~ 5 V 电流 - 电源:5.5mA 测试频率:1.8GHz 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 射频放大器 | BGA420H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 频率:0Hz ~ 3GHz P1dB:-2.5dBm 增益:13dB 噪声系数:2.3dB 电压-电源:3 V ~ 6 V 电流-电源:6.7mA 测试频率:1GHz 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| 射频放大器 | BGA123L4E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TSLP-4-11 |
| 射频放大器 | BGM15MA12 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:ATSLP-12-2 RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms Budgetary Price €/1k:0.51 Switch Type:SP5T Pmax:16.7dB Control Interface:MIPI |
| 射频放大器 | BGM15LA12 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:ATSLP-12-1 RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms Budgetary Price €/1k:0.51 Switch Type:SP5T Pmax:17.5dB Control Interface:MIPI |