IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| RF晶体管 | BFP450H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5V 频率-跃迁:24GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz 增益:15.5dB 功率:0.45W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 50mA,4V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP420FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5.5V 频率-跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,4V 电流-集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFR106E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率:7/10W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFP740H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:27dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:47GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFR93AE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率:3/10W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR181E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率:0.175W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR740L3RHE6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 增益:24.5dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSLP-3-9 封装/外壳:PG-TSLP-3 |
| RF晶体管 | BFR92PE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:3.7V 频率-跃迁:60GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB @ 3.5GHz 增益:26dB 功率:3/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 15mA,2.5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP 840ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP840 |
| RF晶体管 | BFP 842ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP842 |