IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| RF晶体管 | ST13003-K | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A,2V 功率:40W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-32 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| RF晶体管 | BFP650FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 80mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:11dB ~ 21.5dB 功率:1/2W 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFP 183 E7764 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 功率:1/4W 系列:BFP183 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.065A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz |
| RF晶体管 | BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:3.7V 频率-跃迁:60GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB @ 3.5GHz 增益:26dB 功率:3/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 15mA,2.5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFR 460L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.8V 频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:16dB 功率:1/5W 系列:BFR460L3 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90at20mAat3V 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:22000MHz 宽度:0.6mm 最大直流电集电极电流:0.05A |
| RF晶体管 | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA,1.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSLP-3-9 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.6V 频率 - 跃迁:75GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.5dB @ 450MHz 增益:27dB 功率:3/40W 封装/外壳:PG-TSLP-3 |
| RF晶体管 | BFP 181 E7764 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB ~ 21dB 功率:0.175W 系列:BFP181 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.02A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at5mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz |
| RF晶体管 | BFR 740L3RH E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V 频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 增益:24.5dB 系列:BFR740L3 配置:Single 高度:0.45(Max)mm 长度:1.00mm 宽度:0.6mm FET类型:NPN 功率:4/25W |
| RF晶体管 | BFR 182 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率:1/4W 系列:BFR182 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.035A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at10mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 92P E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率:0.28W 系列:BFR92 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5V 集电极连续电流:0.045A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:5000MHz 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA,1.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.25V 频率 - 跃迁:80GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.85dB @ 5.5GHz 增益:18.5dB 功率:3/40W 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA,1.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.6V 频率 - 跃迁:85GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.75dB @ 5.5GHz 增益:35dB 功率:3/40W 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFR 360L3 E6765 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 15mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:11.5dB ~ 16dB 系列:BFR360L3 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.035A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:14000MHz 宽度:0.6mm FET类型:NPN 增益带宽产品fT:14000MHz 最大直流电集电极电流:0.035A 功率:0.21W |
| RF晶体管 | BFR 181 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率:0.175W 系列:BFR181 配置:Single 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 193 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率:0.58W 系列:BFR193 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.08A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 93A E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率:3/10W 系列:BFR93 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:6000MHz 最大直流电集电极电流:0.09A |
| RF晶体管 | BFP 193 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率:0.58W 系列:BFP193 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.08A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz |
| RF晶体管 | BFR 106 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率:7/10W 系列:BFR106 配置:Single 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 183 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率:0.45W 系列:BFR183 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm 最大直流电集电极电流:0.065A |
| RF晶体管 | BFR 193L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 系列:BFR193L3 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm 最大直流电集电极电流:0.08A FET类型:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 功率:0.58W |
| RF晶体管 | BG3130RH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 N-通道(双) 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:5V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:14mA 电压:8V 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:PG-SOT363-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25 mA 漏源极电压Vds:8 V 最小栅阈值电压:0.6V 栅极电压Vgs:+6 V 封装/外壳:SOT-363 (SC-88) 晶体管配置:单 引脚数目:6 FET类型:增强 类别:MOSFET Tetrode 功率:1/5W 高度:0.80mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:1.25mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1.9 pF @ 5 V 典型功率增益:31 dB 长度:2.00mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C |
| RF晶体管 | BG3130H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 N-通道(双) 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:5V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:14mA 电压:8V 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:PG-SOT363-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25 mA 漏源极电压Vds:8 V 最小栅阈值电压:0.6V 栅极电压Vgs:+6 V 封装/外壳:SOT-363 (SC-88) 晶体管配置:单 引脚数目:6 FET类型:增强 类别:MOSFET Tetrode 功率:1/5W 最高工作温度:+150 °C 每片芯片元件数目:1 Ohms 长度:2.00mm 高度:0.80mm 宽度:1.25mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1.9 pF @ 5 V 典型功率增益:31 dB 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm |
| RF晶体管 | BFS483H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN(双) 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:PG-SOT363-6 FET类型:NPN 最大直流集电极电流:65 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-363 (SC-88) 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:6 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFS481H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN(双) 电压-集射极击穿（最大值）:12V 频率-跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率:0.175W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,8V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:P-SOT363-6 |
| RF晶体管 | BFS17SH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN(双) 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 800MHz 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| RF晶体管 | BFS17PE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR93AWH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 15.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT323 封装/外壳:PG-SOT323-3 最大直流集电极电流:90 mA 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:6 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 高度:0.90mm |
| RF晶体管 | BFR93AE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率:3/10W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR92PE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR380L3E6327XTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:9V 频率-跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz 增益:7.5dB ~ 16.5dB 功率:0.38W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 40mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSLP-3-1 封装/外壳:PG-TSLP-3 |
| RF晶体管 | BFR380FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:9V 频率-跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:9.5dB ~ 13.5dB 功率:0.38W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 40mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-3-1 封装/外壳:PG-TSFP-3 |
| RF晶体管 | BFR360FH6765XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz 增益:15.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 15mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-723 封装/外壳:PG-TSFP-3 最大直流集电极电流:35 mA 最大集电极-发射极电压:6 V 封装/外壳:TSFP 最小直流电流增益:90 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:15 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:14 GHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:1.2mm 宽度:0.80mm 封装/外壳:1.2 x 0.8 x 0.55mm 高度:0.55mm |
| RF晶体管 | BFR360FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz 增益:15.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 15mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-3-1 封装/外壳:PG-TSFP-3 最大直流集电极电流:35 mA 最大集电极-发射极电压:6 V 封装/外壳:TSFP 最小直流电流增益:90 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:15 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:14 GHz 引脚数目:3 封装/外壳:1.2 x 0.8 x 0.55mm 宽度:0.80mm 高度:0.55mm 长度:1.2mm 最高工作温度:+150 °C 晶体管材料:Si |
| RF晶体管 | BFR35APE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率:0.28W 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR340FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz 增益:13dB ~ 28dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-3-1 封装/外壳:PG-TSFP-3 最大直流集电极电流:20 mA 最大集电极-发射极电压:6 V 封装/外壳:TSFP 最小直流电流增益:90 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:15 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:14 GHz 引脚数目:3 宽度:0.80mm 晶体管材料:Si 长度:1.2mm 最高工作温度:+150 °C 封装/外壳:1.2 x 0.8 x 0.55mm 高度:0.55mm |
| RF晶体管 | BFR193WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT323 封装/外壳:PG-SOT323-3 最大直流集电极电流:80 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-323 (SC-70) 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm 宽度:1.25mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm |
| RF晶体管 | BFR193E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率:0.58W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR183E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率:0.45W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR182WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT323 封装/外壳:PG-SOT323-3 最大直流集电极电流:35 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-23 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-65 °C 高度:0.90mm 宽度:1.3mm 最高工作温度:+150 °C 晶体管材料:Si 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 长度:2.9mm |
| RF晶体管 | BFR182E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 最大直流集电极电流:35 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-23 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:3 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 1mm 晶体管材料:Si 高度:1mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.3mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.9mm |
| RF晶体管 | BFR181WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT323 封装/外壳:PG-SOT323-3 最大直流集电极电流:20 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-323 (SC-70) 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:3 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.9mm 晶体管材料:Si 高度:0.90mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFR181E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率:0.175W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFR106E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率:7/10W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:3.7V 频率-跃迁:60GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB @ 3.5GHz 增益:26dB 功率:3/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 15mA,2.5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA,1.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.6V 频率 - 跃迁:85GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.75dB @ 5.5GHz 增益:35dB 功率:3/40W 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA,1.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.25V 频率 - 跃迁:80GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.85dB @ 5.5GHz 增益:18.5dB 功率:3/40W 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP740H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:27dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP740FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V 频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:27.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP 最大直流集电极电流:30 mA 最大集电极-发射极电压:4 V 封装/外壳:TSFP 最小直流电流增益:160 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:13 V 最大发射极-基极电压:1.2 V 最大工作频率:42 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:1.4 x 0.8 x 0.55mm 宽度:0.80mm 高度:0.55mm 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:1.4mm |
| RF晶体管 | BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:47GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V 频率 - 跃迁:45GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:8.5dB ~30.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343-4-2 封装/外壳:SOT-343 最大直流集电极电流:45 mA 最大集电极-发射极电压:4.9 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:160 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:3 V 最大发射极-基极电压:0.5 V 最大工作频率:45 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm 宽度:1.25mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.9mm 高度:0.90mm |
| RF晶体管 | BFP720H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 13mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V 频率 - 跃迁:45GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:10.5dB ~ 28.5dB 功率:1/10W 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP650H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:37GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:10.5dB ~ 21.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 80mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 最大直流集电极电流:150 mA 最大集电极-发射极电压:13 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:1.2 V 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:0.90mm 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 晶体管材料:SiGe 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.9mm 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFP650FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 80mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:11dB ~ 21.5dB 功率:1/2W 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFP640H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.5V 频率-跃迁:40GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:12.5dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:46GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:7dB ~ 30dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP620H7764XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:2.8V 频率-跃迁:65GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:21.5dB 功率:0.185W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 50mA,1.5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP620FH7764XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.8V 频率 - 跃迁:65GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:21dB ~ 10dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 50mA,1.5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP 最大直流集电极电流:80 mA 最大集电极-发射极电压:7.5 V 封装/外壳:TSFP 最小直流电流增益:110 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:1.2 V 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:0.55mm 宽度:0.80mm 最高工作温度:+150 °C 晶体管材料:SiGe 封装/外壳:1.4 x 0.8 x 0.55mm 长度:1.4mm |
| RF晶体管 | BFP540H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,3.5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:30GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 增益:16dB 功率:1/4W 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:30GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 增益:20dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,3.5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP 最大直流集电极电流:80 mA 最大集电极-发射极电压:10 V 封装/外壳:TSFP 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:1 V 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:0.55mm 宽度:0.80mm 最高工作温度:+150 °C 晶体管材料:Si 封装/外壳:1.4 x 0.8 x 0.55mm 长度:1.4mm |
| RF晶体管 | BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:30GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 增益:21.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,3.5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 最大直流集电极电流:80 mA 最大集电极-发射极电压:10 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:1 V 最大工作频率:30 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFP520H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:45GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz 增益:22.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 20mA,2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 最大直流集电极电流:40 mA 最大集电极-发射极电压:2.5 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:10 V 最大发射极-基极电压:1 V 最大工作频率:6 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:0.9 x 2 x 1.25mm 高度:0.90mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFP520FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:3.5V 频率-跃迁:45GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz 增益:22.5dB 功率:1/10W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 20mA,2V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFP460H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5.8V 频率-跃迁:22GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz 增益:12.5dB ~ 26.5dB 功率:0.23W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP420H6801XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:21dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA,4V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-82A 封装/外壳:SOT-343 最大直流集电极电流:60 mA 最大集电极-发射极电压:4.5 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:15 V 最大发射极-基极电压:1.5 V 最大工作频率:25 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm 宽度:1.25mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm |
| RF晶体管 | BFP420H6740XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:21dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA,4V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-82A 封装/外壳:SOT-343 最大直流集电极电流:60 mA 最大集电极-发射极电压:4.5 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:15 V 最大发射极-基极电压:1.5 V 最大工作频率:25 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm 宽度:1.25mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm |
| RF晶体管 | BFP420H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5V 频率-跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:21dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA,4V 电流-集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP420FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5.5V 频率-跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,4V 电流-集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFP405H6740XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz 增益:23dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,4V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-82A 封装/外壳:SOT-343 最大直流集电极电流:25 mA 最大集电极-发射极电压:15 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:1.5 V 最大工作频率:25 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFP405H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,4V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz 增益:23dB 功率:3/40W 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP405FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP FET类型:NPN 最大直流集电极电流:25 mA 最大集电极-发射极电压:15 V 封装/外壳:TSFP 功率:3/40W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:1.5 V 最大工作频率:25 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:1.4 x 1.2 x 0.55mm 高度:0.55mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.2mm 最高工作温度:+150 °C 长度:1.4mm |
| RF晶体管 | BFP196WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 最大直流集电极电流:150 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:7500 MHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:0.90mm 封装/外壳:0.9 x 2 x 1.25mm 宽度:1.25mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFP196E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143 封装/外壳:PG-SOT143-4 最大直流集电极电流:150 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-143 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:7.5 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.3mm 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:2.9mm 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 高度:0.90mm |
| RF晶体管 | BFP193WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:13.5dB ~ 20.5dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 最大直流集电极电流:80 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm 宽度:1.25mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 高度:0.80mm |
| RF晶体管 | BFP183WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 最大直流集电极电流:65 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-343 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8000 MHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:0.9 x 2 x 1.25mm 高度:0.90mm 最低工作温度:-65 °C 宽度:1.25mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BFP183E7764HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 最大直流集电极电流:65 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-143 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 高度:0.90mm |
| RF晶体管 | BFP182WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 功率:1/4W 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP182RE7764HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143R-4 最大直流集电极电流:35 mA 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-143 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:2 V 最大工作频率:8 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 高度:0.90mm |
| RF晶体管 | BFP181E7764HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB ~ 21dB 功率:0.175W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| RF晶体管 | BF999E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N通道 频率:45MHz 增益:27dB 电压-测试:10V 额定电流:30mA 噪声系数:2.1dB 电流-测试:10mA 电压:20V 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BF998E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:45MHz 增益:28dB 电压 - 测试:8V 额定电流:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA 电压:12V 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| RF晶体管 | BF888H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 最大直流集电极电流:30 mA 最大集电极-发射极电压:4 V 封装/外壳:SOT-343 功率:4/25W 最小直流电流增益:250 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:13 V 最大发射极-基极电压:1.2 V 最大工作频率:47 GHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:0.80mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 宽度:1.25mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:2.00mm |
| RF晶体管 | BF5030WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 电压:8V 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25 mA 漏源极电压Vds:8 V 栅极电压Vgs:-6 V、+6 V 封装/外壳:SOT-343 晶体管配置:单 引脚数目:4 FET类型:消耗 类别:MOSFET Tetrode 功率:1/5W 典型功率增益:34 dB 漏源极电压Vds:2.8 pF @ 5 V 晶体管材料:Si 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.25mm 长度:2.00mm 高度:0.90mm 正向跨导:0.041S 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.9mm 最高工作温度:+150 °C |
| RF晶体管 | BF2040E6814HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:800MHz 增益:23dB 电压 - 测试:5V 额定电流:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA 电压:8V 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 |