IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| RF晶体管 | BF 776 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BF776 FET类型:BipolarPower 封装/外壳:SOT-343 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 30mA,3V 功率:1/5W 增益:24dB 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 频率 - 跃迁:46GHz |
| RF晶体管 | BFP640H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.5V 频率-跃迁:40GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:12.5dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:46GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:7dB ~ 30dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFP640H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.5V 频率-跃迁:40GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:12.5dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFS17SH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN(双) 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 800MHz 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| RF晶体管 | BFR93AE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率:3/10W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFP620H7764XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:2.8V 频率-跃迁:65GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:21.5dB 功率:0.185W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 50mA,1.5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:47GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-4-1 封装/外壳:4-TSFP |
| RF晶体管 | BFR380FH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:9V 频率-跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:9.5dB ~ 13.5dB 功率:0.38W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 40mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSFP-3-1 封装/外壳:PG-TSFP-3 |
| RF晶体管 | BF2040E6814HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:800MHz 增益:23dB 电压 - 测试:5V 额定电流:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA 电压:8V 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| RF晶体管 | BFR193E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率:0.58W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BF999E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N通道 频率:45MHz 增益:27dB 电压-测试:10V 额定电流:30mA 噪声系数:2.1dB 电流-测试:10mA 电压:20V 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFP740H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.7V 频率-跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:27dB 功率:4/25W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 |
| RF晶体管 | BFR380L3E6327XTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:9V 频率-跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz 增益:7.5dB ~ 16.5dB 功率:0.38W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 40mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSLP-3-1 封装/外壳:PG-TSLP-3 |
| RF晶体管 | BFR92PE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| RF晶体管 | BFS17PE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 功率:0.28W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:PG-SOT23-3 |