IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| RF晶体管 | BGR420H6327XTSA1 | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:13V 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz 功率:3/25W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-82A 封装/外壳:PG-SOT343-4 | |
| RF晶体管 | BG3130RH6327XTSA1 | FET类型:2 N-通道(双) 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:5V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:14mA 电压:8V 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:PG-SOT363-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25 mA 漏源极电压Vds:8 V 最小栅阈值电压:0.6V 栅极电压Vgs:+6 V 封装/外壳:SOT-363 (SC-88) 晶体管配置:单 引脚数目:6 FET类型:增强 类别:MOSFET Tetrode 功率:1/5W 高度:0.80mm 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.8mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:1.25mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1.9 pF @ 5 V 典型功率增益:31 dB 长度:2.00mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C | |
| RF晶体管 | BFR 380L3 E6327 | 系列:BFR380L3 直流集电极/Base Gain hfe Min:90 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:80mA 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90at40mAat3V 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:14GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:0.6mm 最大直流电集电极电流:0.08A 功率:0.38W 工作温度:-65°C ~ 150°C | |
| RF晶体管 | BFP 740 H6327n: | 系列:BFP740 FET类型:NPN 直流集电极/Base Gain hfe Min:160 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:30mA 配置:Single 封装/外壳:SOT-343 工作频率:42GHz 功率:4/25W 工作温度:-65°C ~ 150°C | |
| RF晶体管 | BFP 540FESD H6327 | 系列:BFP540 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:80mA 配置:Single 工作频率:30GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:1/4W 工作温度:-65°C ~ 150°C | |
| RF晶体管 | BFP 196W H6327n | 系列:BFP196 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:150mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:140 FET类型:RFBipolarSmallSignal 增益带宽产品fT:7.5GHz 功率:7/10W 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| RF晶体管 | BF5030WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 电压:8V 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:SOT-343 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25 mA 漏源极电压Vds:8 V 栅极电压Vgs:-6 V、+6 V 封装/外壳:SOT-343 晶体管配置:单 引脚数目:4 FET类型:消耗 类别:MOSFET Tetrode 功率:1/5W 典型功率增益:34 dB 漏源极电压Vds:2.8 pF @ 5 V 晶体管材料:Si 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.25mm 长度:2.00mm 高度:0.90mm 正向跨导:0.041S 封装/外壳:2 x 1.25 x 0.9mm 最高工作温度:+150 °C |
| RF晶体管 | BF2040WH6814XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:800MHz 增益:23dB 电压 - 测试:5V 额定电流:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA 电压:8V 封装/外壳:SOT343 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BF998E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N 通道 频率:45MHz 增益:28dB 电压 - 测试:8V 额定电流:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA 电压:12V 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| RF晶体管 | ST13003-K | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A,2V 功率:40W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-32 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| RF晶体管 | ST13003 | ST(意法半导体) | 功率:40W 发射极 - 基极电压 VEBO:9V 宽度:2.7mm(Max) 封装/外壳:SOT-32-3 FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:1.5A 直流电流增益 hFE 最大值:20 直流集电极/Base Gain hfe Min:8 系列:ST13003 配置:Single 长度:7.8mm(Max) 集电极—发射极最大电压 VCEO:400V 集电极—基极电压 VCBO:700V 集电极—射极饱和电压:0.5V 集电极连续电流:1.5A 高度:10.8mm(Max) 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | ST13003-K | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A,2V 功率:40W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-32 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| RF晶体管 | ST13003 | ST(意法半导体) | 功率:40W 发射极 - 基极电压 VEBO:9V 宽度:2.7mm(Max) 封装/外壳:SOT-32-3 FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:1.5A 直流电流增益 hFE 最大值:20 直流集电极/Base Gain hfe Min:8 系列:ST13003 配置:Single 长度:7.8mm(Max) 集电极—发射极最大电压 VCEO:400V 集电极—基极电压 VCBO:700V 集电极—射极饱和电压:0.5V 集电极连续电流:1.5A 高度:10.8mm(Max) 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 360F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR360 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:35mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:160 工作频率:3.5GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 增益带宽产品fT:14GHz 功率:0.21W 零件号别名:BFR360FH6327XT BFR360FH6327XTSA1 SP000750428 封装/外壳:PG-TSFP-3 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 181W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR181 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:20mA 配置:Single 工作频率:8GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:0.175W |
| RF晶体管 | BGR 420 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BGR420 FET类型:RFBipolarPower |
| RF晶体管 | BG 3130R H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT363-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25mA 漏源极电压Vds:12V 增益:24dB 配置:Dual 工作频率:800MHz 系列:BG3130 功率:1/5W 栅极电压Vgs:6V |
| RF晶体管 | BG 3130 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BG3130 200 mW:Pd - 功率消耗 标准包装数量:3000 配置:Dual FET类型:N-Channel 频率:800 MHz 增益:24 dB 连续漏极电流Id:25mA 漏源极电压Vds:12V 工作频率:800MHz 功率:1/5W 栅极电压Vgs:6V |
| RF晶体管 | BFS 483 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFS483 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:65mA 工作频率:8GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:0.45W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFS 481 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFS481 FET类型:RFBipolarPower |
| RF晶体管 | BFS 17W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFS17 直流集电极/Base Gain hfe Min:20 集电极—发射极最大电压 VCEO:15V 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5V 集电极连续电流:25mA 工作频率:1GHz FET类型:RFBipolarPower 功率:0.28W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFS 17S H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFS17 直流集电极/Base Gain hfe Min:20 集电极—发射极最大电压 VCEO:15V 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5V 集电极连续电流:25mA 配置:Single 工作频率:1GHz FET类型:RFBipolarPower 增益带宽产品fT:1.3GHz 功率:0.28W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFS 17P E6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFS17 20:直流集电极/增益 hfe 最小值 最大功率消耗:280 mW 标准包装数量:3000 配置:Single FET类型:NPN 集电极-基极电压VCBO:25 V 集电极-发射极最大电压VCEO:15 V 发射机-基极电压VEBO:2.5 V 集电极最大直流电流:0.025 A 2.5 MHz:增益带宽积 fT 直流集电极/Base Gain hfe Min:20 集电极—发射极最大电压 VCEO:15V 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5V 集电极—基极电压 VCBO:25V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:2.5MHz 最大直流电集电极电流:0.025A 功率:0.28W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 93AW H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR93 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:90mA 工作频率:2GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 93A E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率:3/10W 系列:BFR93 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:6000MHz 最大直流电集电极电流:0.09A |
| RF晶体管 | BFR 92P E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率:0.28W 系列:BFR92 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5V 集电极连续电流:0.045A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:5000MHz 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 843EL3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-3 |
| RF晶体管 | BFR 840L3RHESD E6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR840L3 |
| RF晶体管 | BFR 740L3RH E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V 频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz 增益:24.5dB 系列:BFR740L3 配置:Single 高度:0.45(Max)mm 长度:1.00mm 宽度:0.6mm FET类型:NPN 功率:4/25W |
| RF晶体管 | BFR 740EL3 E6829 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSLP-3 |
| RF晶体管 | BFR 460L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.8V 频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:16dB 功率:1/5W 系列:BFR460L3 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90at20mAat3V 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:22000MHz 宽度:0.6mm 最大直流电集电极电流:0.05A |
| RF晶体管 | BFR 380L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR380L3 直流集电极/Base Gain hfe Min:90 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:80mA 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90at40mAat3V 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:14GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:0.6mm 最大直流电集电极电流:0.08A 功率:0.38W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 380F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR380 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFR 360L3 E6765 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 15mA,3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:11.5dB ~ 16dB 系列:BFR360L3 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.035A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:14000MHz 宽度:0.6mm FET类型:NPN 增益带宽产品fT:14000MHz 最大直流电集电极电流:0.035A 功率:0.21W |
| RF晶体管 | BFR 360F H6765 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR360 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFR 360F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR360 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:35mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:160 工作频率:3.5GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 增益带宽产品fT:14GHz 功率:0.21W 零件号别名:BFR360FH6327XT BFR360FH6327XTSA1 SP000750428 封装/外壳:PG-TSFP-3 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 35AP E6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR35 集电极—发射极最大电压 VCEO:15V 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:5000MHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:1.3mm 最大直流电集电极电流:0.045A 功率:0.28W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 340L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR340L3 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:15V 直流电流增益 hFE 最大值:90at5mAat3V 高度:0.45mm 长度:1.00mm 工作频率:14000MHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:0.6mm 最大直流电集电极电流:0.01A 功率:3/50W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 340F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR340 直流集电极/Base Gain hfe Min:90 集电极—发射极最大电压 VCEO:6V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:20mA 工作频率:1.9GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:3/40W |
| RF晶体管 | BFR 193W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR193 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:80mA 工作频率:900MHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:0.58W |
| RF晶体管 | BFR 193L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 系列:BFR193L3 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm 最大直流电集电极电流:0.08A FET类型:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 功率:0.58W |
| RF晶体管 | BFR 193F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR193 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFR 193 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率:0.58W 系列:BFR193 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.08A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 183 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率:0.45W 系列:BFR183 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm 最大直流电集电极电流:0.065A |
| RF晶体管 | BFR 182W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR182 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:35mA 配置:Single 工作频率:8GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:1/4W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFR 182 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率:1/4W 系列:BFR182 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.035A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at10mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8000MHz 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 181W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFR181 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:20mA 配置:Single 工作频率:8GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:0.175W |
| RF晶体管 | BFR 181 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率:0.175W 系列:BFR181 配置:Single 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFR 106 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率:7/10W 系列:BFR106 配置:Single 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm |
| RF晶体管 | BFQ 790 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT89-4 |
| RF晶体管 | BFP 843F H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TSFP-4 |
| RF晶体管 | BFP 843 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP 842ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP842 |
| RF晶体管 | BFP 840FESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP840 |
| RF晶体管 | BFP 840ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP840 |
| RF晶体管 | BFP 780 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP 760 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP 740FESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP740 直流集电极/Base Gain hfe Min:160 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.2V 集电极连续电流:45mA 配置:Single 工作频率:47GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:4/25W |
| RF晶体管 | BFP 740F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP740 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:30mA 集电极—基极电压 VCBO:13V 直流电流增益 hFE 最大值:400 高度:0.55mm 长度:1.4mm 工作频率:42GHz FET类型:RFSiliconGermanium 宽度:0.80mm 功率:4/25W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 740ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP740 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.2V 集电极连续电流:45mA 直流电流增益 hFE 最大值:400 工作频率:45GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:4/25W |
| RF晶体管 | BFP 720FESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP720 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.2V 集电极连续电流:30mA 集电极—基极电压 VCBO:4.9V 直流电流增益 hFE 最大值:400 工作频率:43GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:1/10W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 720F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP720 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:25mA 集电极—基极电压 VCBO:13V 直流电流增益 hFE 最大值:400 高度:0.55mm 长度:1.4mm 工作频率:45GHz FET类型:RFSiliconGermanium 宽度:0.80mm 功率:1/10W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 720ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP720 直流集电极/Base Gain hfe Min:160 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.2V 集电极连续电流:30mA 配置:Single 工作频率:43GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:1/10W |
| RF晶体管 | BFP 720 H6327 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single Dual Emitter 系列:BFP720 标准包装数量:3000 160:直流集电极/增益 hfe 最小值 最大工作频率:45 GHz 集电极-发射极最大电压VCEO:4 V 发射机-基极电压VEBO:1.2 V 连续集电极电流:25 mA FET类型:Bipolar 直流集电极/Base Gain hfe Min:160 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:25mA 工作频率:45GHz 功率:1/10W |
| RF晶体管 | BFP 650F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP650 FET类型:RFSiliconGermanium |
| RF晶体管 | BFP 650 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP650 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:150mA 工作频率:37GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:1/2W |
| RF晶体管 | BFP 640FESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP640 发射极 - 基极电压 VEBO:4.8V 集电极连续电流:50mA FET类型:RFSiliconGermanium 功率:1/5W |
| RF晶体管 | BFP 640F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP640 FET类型:RFSiliconGermanium |
| RF晶体管 | BFP 640ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP640 直流集电极/Base Gain hfe Min:110 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.1V 集电极连续电流:50mA 配置:Single 工作频率:45GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:1/5W |
| RF晶体管 | BFP 640 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP640 直流集电极/Base Gain hfe Min:110 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:50mA 配置:Single 工作频率:40GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:1/5W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 620F H7764 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP620 FET类型:RFSiliconGermanium |
| RF晶体管 | BFP 620 H7764 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP620 直流集电极/Base Gain hfe Min:110 集电极—发射极最大电压 VCEO:2.3V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:80mA 配置:Single 工作频率:65GHz FET类型:RFSiliconGermanium 功率:0.185W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 540FESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP540 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:80mA 配置:Single 工作频率:30GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:1/4W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 540ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP540 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:80mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:170 工作频率:30GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:1/4W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 540 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP540 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:0.08A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:14V 高度:0.90mm 长度:2.00mm 工作频率:30000MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:1.25mm 功率:1/4W |
| RF晶体管 | BFP 520F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP520 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:2.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:40mA 配置:Single 工作频率:45GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:1/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 520 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP520 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:2.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:50mA 配置:Single 工作频率:45GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:1/8W |
| RF晶体管 | BFP 460 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP460 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:70mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:160 FET类型:RFBipolarSmallSignal 增益带宽产品fT:22GHz 功率:0.23W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 450 H6433 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP450 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 450 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP450 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 集电极—发射极最大电压 VCEO:15V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:10mA 配置:Single 工作频率:24GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 最大直流电集电极电流:100mA 功率:0.45W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 420F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP420 标准包装数量:3000 FET类型:RF Bipolar Small Signal |
| RF晶体管 | BFP 420 H6801 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP420 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 420 H6740 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP420 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 420 H6433 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP420 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 420 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP420 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:35mA 配置:Single 工作频率:25GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:4/25W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 410 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP410 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:40mA 工作频率:25GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:3/20W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 405F H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP405 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:12mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:130 FET类型:RFBipolarSmallSignal 增益带宽产品fT:25GHz 功率:0.055W 零件号别名:BFP405FH6327XT BFP405FH6327XTSA1 SP000745258 封装/外壳:PG-TSFP-4 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 405 H6740 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP405 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:25mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:130 工作频率:25GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:3/40W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 405 H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP405 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5V 集电极连续电流:25mA 工作频率:12GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 功率:3/40W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 196W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP196 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:150mA 配置:Single 直流电流增益 hFE 最大值:140 FET类型:RFBipolarSmallSignal 增益带宽产品fT:7.5GHz 功率:7/10W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 196 WN H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT343-4 |
| RF晶体管 | BFP 196 E6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP196 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.1A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at50mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:7.5GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:7500MHz 功率:7/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 193W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP193 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 193 E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率:0.58W 系列:BFP193 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.08A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at30mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz |
| RF晶体管 | BFP 183W H6327 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP183 FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 183 E7764 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:22dB 功率:1/4W 系列:BFP183 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.065A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at15mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz |
| RF晶体管 | BFP 182W H6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:RFBipolarSmallSignal |
| RF晶体管 | BFP 182R E7764 | Infineon(英飞凌) | 系列:BFP182 集电极—发射极最大电压 VCEO:12V 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.035A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at10mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 工作频率:8GHz FET类型:RFBipolarSmallSignal 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz 功率:1/4W 最大直流电集电极电流:0.035A 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| RF晶体管 | BFP 181 E7764 | Infineon(英飞凌) | 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C(TJ) FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB ~ 21dB 功率:0.175W 系列:BFP181 发射极 - 基极电压 VEBO:2V 集电极连续电流:0.02A 配置:Single 集电极—基极电压 VCBO:20V 直流电流增益 hFE 最大值:70at5mAat8V 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 增益带宽产品fT:8000MHz |
| RF晶体管 | BF 999 E6327 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流Id:30A 漏源极电压Vds:20V 配置:Single 高度:1mm 长度:2.9mm 系列:BF999 FET类型:RFSmallSignalMOSFET 宽度:1.3mm 功率:1/5W 栅极电压Vgs:6.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C |