参数	值
产品	未分类
型号编码	SIHL640STRL-GE3
说明	未分类   SMD-220
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	105 [库存更新时间：2024-05-23]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	17 A
漏源极电压Vds	200 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	270 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-10 V、+10 V
封装/外壳	SMD-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	125W
典型关断延迟时间	44 ns
漏源极电压Vds	1800 pF@ 25 V
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
典型接通延迟时间	8 ns
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C