| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SIR410DP-T1-GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET PowerPAK®SO-8 |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 462 [库存更新时间：2024-04-10] |
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) |
| FET类型 | N-Channel |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8 mOhms @ 20A,10V |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 4.2W(Ta),36W(Tc) |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
IC普拉斯 元器件现货