参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4062DY-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SO-8
起订量	0
最小包	0
现货	464 [库存更新时间：2024-04-19]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.6V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	60nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3175pF @ 30V
连续漏极电流Id	32.1A
Pd-功率耗散(Max)	7.8W
Qg-栅极电荷	40nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.2mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	1.4V
上升时间	6ns
下降时间	8ns
典型关闭延迟时间	34ns
典型接通延迟时间	16ns
封装/外壳	SO-8
正向跨导 - 最小值	80S
系列	SI4
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C