参数	值
产品	未分类
型号编码	SIHL510STRL-GE3
说明	未分类   D2PAK(TO-263) 10.67x9.65x4.83mm 10.67mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	105 [库存更新时间：2024-06-09]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5.6 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.76 0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-10 V、+10 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	43 W
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.67 x 9.65 x 4.83mm
最高工作温度	+175 °C
晶体管材料	Si
最低工作温度	-55 °C
漏源极电压Vds	250 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	16 ns
典型接通延迟时间	9.3 ns
宽度	9.65mm
长度	10.67mm
高度	4.83mm