参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4943CDY-T1-GE3
说明	通用MOSFET   8-SO SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	802 [库存更新时间：2024-05-24]
系列	TrenchFET®
FET类型	2P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	19.2m Ohms@8.3A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	62nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1945pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W
工作温度	-50°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	8A
Rds On(Max)@Id,Vgs	19.2m Ohms