参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI2333CDS-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOT-23-3
起订量	3
最小包	3
现货	448 [库存更新时间：2024-04-19]
系列	TrenchFET®
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	7.1A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1225pF @ 6V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	1.25W(Ta),2.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	35mΩ@5.1A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	5.1A
Rds On(Max)@Id,Vgs	35mΩ