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    SQ2319ADS-T1_GE3

    产品:功率MOSFET

    库存:446 Pcs [库存更新时间:2024-05-06]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SQ2319ADS-T1_GE3
    说明功率MOSFET   SOT-23-3 2.9mm
    起订量3
    最小包3
    现货446 [库存更新时间:2024-05-06]
    连续漏极电流Id4.6A
    Pd-功率耗散(Max)2.5W
    Qg-栅极电荷10.5nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs75mΩ
    漏源极电压Vds40V
    栅极电压Vgs1.5V
    上升时间18ns
    下降时间17ns
    典型关闭延迟时间17ns
    典型接通延迟时间4ns
    宽度1.60mm
    封装/外壳SOT-23-3
    正向跨导 - 最小值8S
    系列SQ
    通道数量1Channel
    配置Single
    长度2.9mm
    高度1.45mm
    工作温度-55°C~150°C

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