参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQ9945BEY-T1_GE3
说明	功率MOSFET   SO-8 4.9mm
起订量	2
最小包	2
现货	444 [库存更新时间：2024-05-04]
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	470pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	5.4A
Pd-功率耗散(Max)	4W
Qg-栅极电荷	12nC,12nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	45mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	1.5V
上升时间	2.8ns,2.8ns
下降时间	1.7ns,1.7ns
典型关闭延迟时间	17ns,17ns
典型接通延迟时间	6ns,6ns
宽度	3.9mm
封装/外壳	SO-8
正向跨导 - 最小值	12S,12S
系列	SQ
通道数量	2Channel
配置	Dual
长度	4.9mm
高度	1.75mm