参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQD19P06-60L_GE3
说明	功率MOSFET   TO-252-3
起订量	2
最小包	2
现货	444 [库存更新时间：2024-05-04]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	41nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1490pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	46W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	20A
Rds On(Max)@Id,Vgs	55mΩ
系列	SQ