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    SQJ443EP-T1_GE3

    产品:功率MOSFET

    库存:446 Pcs [库存更新时间:2024-05-28]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SQJ443EP-T1_GE3
    说明功率MOSFET   PowerPAK-SO-8L-4
    起订量3
    最小包3
    现货446 [库存更新时间:2024-05-28]
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)57nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)2030pF @ 20V
    工作温度-55°C~175°C
    连续漏极电流Id40A
    Pd-功率耗散(Max)83W
    Qg-栅极电荷38nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs29mΩ
    漏源极电压Vds40V
    栅极电压Vgs±20V
    上升时间14ns
    下降时间29ns
    典型关闭延迟时间45ns
    典型接通延迟时间7ns
    封装/外壳PowerPAK-SO-8L-4
    正向跨导 - 最小值30S
    系列SQ
    通道数量1Channel
    配置Single

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