| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI3586DV-T1-GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET TSOT-23-6 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 447 [库存更新时间：2025-04-15] |
| 连续漏极电流Id | 2.9A,2.1A |
| FET类型 | N+P-Channel |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 3.4A,4.5V |
| Vgs(th) | 1.1V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 830mW |
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
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