参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI2305CDS-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOT-23-3 2.9mm
起订量	0
最小包	0
现货	437 [库存更新时间：2024-04-19]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	960pF @ 4V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
连续漏极电流Id	5.8A
Pd-功率耗散(Max)	1.7W
Qg-栅极电荷	30nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	35mΩ
漏源极电压Vds	8V
栅极电压Vgs	400mV
上升时间	20ns
下降时间	10ns
典型关闭延迟时间	40ns
典型接通延迟时间	20ns
宽度	1.60mm
正向跨导 - 最小值	17S
系列	SI2
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	2.9mm
高度	1.45mm