参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4916DY-T1-GE3
说明	通用MOSFET   8-SO SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5308 [库存更新时间：2024-05-06]
系列	LITTLE FOOT®
FET类型	2N-Channel
连续漏极电流Id	10A,10.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	18m Ohms@10A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 4.5V
Pd-功率耗散(Max)	3.3W,3.5W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	7.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	18mΩ