参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4848ADY-T1-GE3
说明	功率MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5894 [库存更新时间：2025-04-14]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	150V
连续漏极电流Id	5.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	335pF @ 75V
Pd-功率耗散(Max)	5W
Rds On(Max)@Id,Vgs	84mΩ@3.9A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)