参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB65R420CFDATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x11.05x4.57mm
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	8.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	32nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	870pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	83.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	420 毫欧 @ 3.4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8.7 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	420 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	83.3W
宽度	11.05mm
最低工作温度	-55 °C
长度	10.31mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	4.57mm
正向二极管电压	0.9V
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	10.31 x 11.05 x 4.57mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	870 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	38 ns
典型接通延迟时间	10 ns
系列	CoolMOS CFD