参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPW65R660CFDFKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO247-3 PG-TO247-3 TO-247 16.13mm 16.13x21.1x5.21mm
起订量	240
最小包	240
现货	889 [库存更新时间：2025-11-24]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	700V
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	615pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	62.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	660 毫欧 @ 2.1A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO247-3
封装/外壳	PG-TO247-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	6 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	660 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	62.5W
典型接通延迟时间	9 ns
典型关断延迟时间	40 ns
漏源极电压Vds	615 pF @ 100 V
晶体管材料	Si
最高工作温度	+150 °C
高度	5.21mm
系列	CoolMOS CFD
宽度	21.1mm
最低工作温度	-55 °C
长度	16.13mm
正向二极管电压	0.9V
封装/外壳	16.13 x 21.1 x 5.21mm
每片芯片元件数目	1 Ohms