参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPN70R900P7SATMA1
说明	功率MOSFET   TO-261-3
起订量	3
最小包	3
现货	415 [库存更新时间：2025-11-23]
25°C时电流-连续漏极(Id)	6A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±16V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	900 毫欧 @ 1.1A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3.5V @ 60uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	211pF @ 400V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	6.8nC @ 10V
功率耗散(最大值)	6.5W(Tc)
封装/外壳	TO-261-3
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	700V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V