参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPL60R2K1C6SATMA1
说明	通用MOSFET   Thin-PAK(5x6) PG-TSON-8
起订量	5
最小包	5
现货	419 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	2.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.7nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	140pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	21.6W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.1 欧姆 @ 760mA,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	Thin-PAK(5x6)
封装/外壳	PG-TSON-8