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    IAUS165N08S5N029ATMA1

    产品:功率MOSFET

    库存:413 Pcs [库存更新时间:2024-05-19]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码IAUS165N08S5N029ATMA1
    说明功率MOSFET   8-PowerSMD,鸥翼
    起订量1
    最小包1
    现货413 [库存更新时间:2024-05-19]
    25°C时电流-连续漏极(Id)165A(Tc)
    FET类型N 通道
    Vgs(最大值)±20V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)2.9 毫欧 @ 80A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值)3.8V @ 108uA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)6370pF @ 40V
    不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)90nC @ 10V
    功率耗散(最大值)167W(Tc)
    封装/外壳8-PowerSMD,鸥翼
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)80V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)6V,10V

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