参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD110N12N3GATMA1
说明	功率MOSFET   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2025-04-06]
25°C时电流-连续漏极(Id)	75A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	11 毫欧 @ 75A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3V @ 83uA(标准)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	4310pF @ 60V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	65nC @ 10V
功率耗散(最大值)	136W(Tc)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	120V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V