参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP65R660CFDXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO-220-3 PG-TO220-3 TO-220 10.36x4.57x15.95mm 10.36mm
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	615pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	62.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	660 毫欧 @ 2.1A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO-220-3
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	6 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	660 m0hms
栅极电压Vgs	4.5V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	62.5W
高度	15.95mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 15.95mm
宽度	4.57mm
系列	CoolMOS CFD
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	615 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	9 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	10.36mm