参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP65R150CFDXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO-220-3 PG-TO220-3 TO-220 10.36mm 10.36x15.95x4.57mm
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2024-04-29]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	22.4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	86nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2340pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	195.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 毫欧 @ 9.3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO-220-3
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	22.4 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	195.3W
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
长度	10.36mm
高度	4.57mm
正向二极管电压	0.9V
系列	CoolMOS CFD
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2340 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	52.8 ns
典型接通延迟时间	12.4 ns
宽度	15.95mm
封装/外壳	10.36 x 15.95 x 4.57mm