型号参数与资料
- 型号
- IPP65R110CFDXKSA1
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 700V |
| 连续漏极电流Id | 31.2A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 1.3mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 118nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3240pF @ 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 277.8W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 110 毫欧 @ 12.7A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO-220-3 |
| 封装/外壳 | PG-TO220-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 31.2 A |
| 漏源极电压Vds | 700 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 110 m0hms |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 277.8W |
| 宽度 | 15.95mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 长度 | 10.36mm |
| 正向二极管电压 | 0.9V |
| 高度 | 4.57mm |
| 封装/外壳 | 10.36 x 15.95 x 4.57mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 3240 pF @ 100 V |
| 典型关断延迟时间 | 68 ns |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 系列 | CoolMOS CFD |
通用MOSFET PG-TO-220-3 PG-TO220-3 TO-220 10.36mm 10.36x15.95x4.57mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。