参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSS670S2LH6327XTSA1
说明	通用MOSFET   TO-236-3 SOT-23 PG-SOT23-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	135 [库存更新时间：2025-04-18]
系列	OptiMOS™
连续漏极电流Id	540mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 2.7µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.26nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	75pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	650mΩ@270mA,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	0.54A
漏源极电压Vds	55V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.26nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	75pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	PG-SOT23-3