| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | BSR316PH6327XTSA1 |
| 说明 | 通用MOSFET PG-SC59-3 SC-59 PG-SC-59 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 290 [库存更新时间：2025-04-02] |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET类型 | P-Channel |
| 连续漏极电流Id | 360mA(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 170µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 165pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.8 Ohms@360mA,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-SC59-3 |
| 封装/外壳 | SC-59 |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 0.36A |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 封装/外壳 | PG-SC-59 |
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