参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSR302NL6327HTSA1
说明	通用MOSFET   PG-SC-59 PG-SC59-3 SOT-346(SC-59) 3x1.6x1.1mm 3mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	3.7A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.6nC @ 5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	750pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	23 毫欧 @ 3.7A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SC-59
封装/外壳	PG-SC59-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	3.7 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	36 m0hms
栅极电压Vgs	2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-346 (SC-59)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	小信号
高度	1.10mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	3 x 1.6 x 1.1mm
宽度	1.60mm
系列	OptiMOS 2
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	564 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	16.2 ns
典型接通延迟时间	6.8 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	3mm