参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | BSR202NL6327HTSA1 |
说明 | 通用MOSFET PG-SC-59 PG-SC59-3 SOT-346(SC-59) 3x1.6x1.1mm 3mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 290 [库存更新时间:2025-04-03] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 3.8A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 30µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.8nC @ 4.5V |
栅极电压Vgs | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1147pF @ 10V |
Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 21 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | PG-SC-59 |
封装/外壳 | PG-SC59-3 |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 3.8 A |
漏源极电压Vds | 20 V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 33 m0hms |
栅极电压Vgs | 1.2V |
最小栅阈值电压 | 0.7V |
栅极电压Vgs | -12 V、+12 V |
封装/外壳 | SOT-346 (SC-59) |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
FET类型 | 增强 |
类别 | 小信号 |
高度 | 1.10mm |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
封装/外壳 | 3 x 1.6 x 1.1mm |
宽度 | 1.60mm |
系列 | OptiMOS 2 |
晶体管材料 | Si |
漏源极电压Vds | 863 pF @ 10 V |
典型关断延迟时间 | 19 ns |
典型接通延迟时间 | 8.8 ns |
最低工作温度 | -55 °C |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 3mm |