参数	值
产品	RF晶体管
型号编码	BFP650H6327XTSA1
说明	RF晶体管   SOT343 PG-SOT343-4 SOT-343 2x1.25x0.9mm 2.00mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	414 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）	4.5V
频率 - 跃迁	37GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益	10.5dB ~ 21.5dB
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	110 @ 80mA,3V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT343
封装/外壳	PG-SOT343-4
最大直流集电极电流	150 mA
最大集电极-发射极电压	13 V
封装/外壳	SOT-343
最小直流电流增益	100
晶体管配置	单
最大发射极-基极电压	1.2 V
引脚数目	4
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	0.90mm
宽度	1.25mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	SiGe
封装/外壳	2 x 1.25 x 0.9mm
长度	2.00mm