IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| MOSFET | DMC3028LSDX-13 | FET类型:N+P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:27mΩ@6A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):641pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):13.2nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.5A,5.8A | |
| 光电晶体管 | PNJ4K01F | ||
| 达林顿晶体管 | PMBTA13,215 | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:125MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>5000,5000 集电极-射极饱和电压:30mV 集电极连续电流:500A | |
| 达林顿晶体管 | ZXTC6718MCTA | 集电极-射极饱和电压:300mV @ 125mA, 4.5A, 300mV @ 350mA, 3.5A 直流电流增益hFE:200 @ 2A,2V / 150 @ 2A,2V 封装/外壳:W-DFN3020-8 功率:1.7W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:4.5A,3.5A ICBO:100nA 特征频率fT:140MHz,180MHz | |
| IGBT | IRGS4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D2PAK 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGR4607DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,4A 功率:58W 开关能量:140µJ(开),62µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/120ns 测试条件:400V,4A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:48ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DPAKCOPAK 封装/外壳:D-Pak 最大连续集电极电流:11 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:58 W 封装/外壳:DPAK (TO-252) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:250pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGPS66160DPBF | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流-集电极(Icm):360A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,120A 功率:750W 开关能量:4.47mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:95ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247COPAK 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRGPS46160DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,120A 开关能量:5.75mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:130ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:240 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:750W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:16.1mm 宽度:5.5mm 高度:20.8mm 封装/外壳:16.1 x 5.5 x 20.8mm 额定能量:500µJ | |
| IGBT | IRGP6690DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,75A 开关能量:3.1mJ(开),2.8mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/222ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:483W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 额定能量:210µJ | |
| IGBT | IRGP6660DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:95A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,48A 功率:330W 开关能量:600µJ(开),1.3mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/155ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:95 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:330W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:135µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGP6640D-EPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:53A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 功率:200W 开关能量:90µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/100ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AD 最大连续集电极电流:53 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:200W 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:20.7mm 高度:5.31mm 封装/外壳:15.9 x 20.7 x 5.31mm 最低工作温度:-40 °C 额定能量:1140µJ 最高工作温度:+175 °C | |
| IGBT | IRGP6630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:75µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/95ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:192W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1080pF | |
| IGBT | IRGP4750DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,35A 功率:273W 开关能量:1.3mJ(开),500µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:150ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:70 A 最大集电极-发射极电压:650 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:273 W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 额定能量:380µJ 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGP4690DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:454W 开关能量:2.47mJ(开),2.16mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/200ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:155ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:454W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最低工作温度:-55 °C 额定能量:470µJ 最高工作温度:+175 °C | |
| IGBT | IRGP4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGB4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:140W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 额定能量:280µJ | |
| IGBT | IRGB4630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:95µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/105ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:100ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:206W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 栅极电容:1040pF | |
| IGBT | IRGB4615DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 功率:99W 开关能量:70µJ(开),145µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/95ns 测试条件:400V,8A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO220COPAK 封装/外壳:TO-220AB 最大连续集电极电流:23 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:99 W 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:165µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRG7PH46UD-EP | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,40A 功率:390W 开关能量:2.61mJ(开),1.85mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/410ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRG7PH35UD-EP | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,20A 开关能量:1.06mJ(开),620µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 最大连续集电极电流:50 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:180W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1940pF 额定能量:2150µJ | |
| IGBT | IRG6B330UDPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:330V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.76V @ 15V,120A 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/176ns 测试条件:196V,25A,10 欧姆 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:330V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.76V @ 15V,120A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:47ns/176ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IKZ50N65NH5XKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,50A 功率:273W 开关能量:350µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/252ns 测试条件:400V,25A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:46ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 | |
| IGBT | IKZ75N65NH5XKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:395W 开关能量:880µJ(开),520µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/412ns 测试条件:400V,37.5A,27 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:59ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 | |
| IGBT | IHW40N135R3FKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,40A 功率:429W 开关能量:2.5mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/343ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IHW30N120R3FKSA1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,30A 功率:349W 开关能量:1.47mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/326ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IKW30N65NL5XKSA1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A 功率:227W 开关能量:560µJ(开),1.35mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:59ns/283ns 测试条件:400V,30A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:59ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |