IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 光电晶体管 | PNJ4K01F | ||
| 达林顿晶体管 | PMBTA13,215 | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:125MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>5000,5000 集电极-射极饱和电压:30mV 集电极连续电流:500A | |
| 达林顿晶体管 | ZXTC6718MCTA | 集电极-射极饱和电压:300mV @ 125mA, 4.5A, 300mV @ 350mA, 3.5A 直流电流增益hFE:200 @ 2A,2V / 150 @ 2A,2V 封装/外壳:W-DFN3020-8 功率:1.7W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:4.5A,3.5A ICBO:100nA 特征频率fT:140MHz,180MHz | |
| IGBT | IRGS4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAKCOPAK 封装/外壳:D2PAK 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:D2PAK (TO-263) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:9.65mm 高度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 9.65 x 4.83mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGR4607DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,4A 功率:58W 开关能量:140µJ(开),62µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/120ns 测试条件:400V,4A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:48ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DPAKCOPAK 封装/外壳:D-Pak 最大连续集电极电流:11 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:58 W 封装/外壳:DPAK (TO-252) FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:250pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGPS66160DPBF | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流-集电极(Icm):360A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,120A 功率:750W 开关能量:4.47mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:95ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247COPAK 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) | |
| IGBT | IRGPS46160DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,120A 开关能量:5.75mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:130ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:240 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:750W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:16.1mm 宽度:5.5mm 高度:20.8mm 封装/外壳:16.1 x 5.5 x 20.8mm 额定能量:500µJ | |
| IGBT | IRGP6690DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,75A 开关能量:3.1mJ(开),2.8mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:85ns/222ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:483W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 额定能量:210µJ | |
| IGBT | IRGP6660DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:95A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,48A 功率:330W 开关能量:600µJ(开),1.3mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/155ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:95 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:330W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:135µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGP6640D-EPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:53A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,24A 功率:200W 开关能量:90µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/100ns 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AD 最大连续集电极电流:53 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:200W 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:20.7mm 高度:5.31mm 封装/外壳:15.9 x 20.7 x 5.31mm 最低工作温度:-40 °C 额定能量:1140µJ 最高工作温度:+175 °C | |
| IGBT | IRGP6630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:75µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/95ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:192W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1080pF | |
| IGBT | IRGP4750DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,35A 功率:273W 开关能量:1.3mJ(开),500µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/105ns 测试条件:400V,35A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:150ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:70 A 最大集电极-发射极电压:650 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:273 W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 额定能量:380µJ 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGP4690DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:454W 开关能量:2.47mJ(开),2.16mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/200ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:155ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:140 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:454W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最低工作温度:-55 °C 额定能量:470µJ 最高工作温度:+175 °C | |
| IGBT | IRGP4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 功率:140W 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AC 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:140W 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:765pF 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRGB4620DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):36A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,12A 开关能量:75µJ(开),225µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/83ns 测试条件:400V,12A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:68ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:32 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:140W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 额定能量:280µJ | |
| IGBT | IRGB4630DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:47A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):54A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:95µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/105ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:100ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 最大连续集电极电流:47 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:206W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 栅极电容:1040pF | |
| IGBT | IRGB4615DPBF | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,8A 功率:99W 开关能量:70µJ(开),145µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/95ns 测试条件:400V,8A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO220COPAK 封装/外壳:TO-220AB 最大连续集电极电流:23 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:99 W 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:8 → 30kHz 晶体管配置:单 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 最高工作温度:+175 °C 额定能量:165µJ 最低工作温度:-40 °C | |
| IGBT | IRG7PH46UD-EP | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,40A 功率:390W 开关能量:2.61mJ(开),1.85mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/410ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD | |
| IGBT | IRG7PH35UD-EP | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,20A 开关能量:1.06mJ(开),620µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 最大连续集电极电流:50 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:180W FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 高度:20.7mm 封装/外壳:15.87 x 5.31 x 20.7mm 栅极电容:1940pF 额定能量:2150µJ | |
| IGBT | IRG6B330UDPBF | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:330V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.76V @ 15V,120A 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/176ns 测试条件:196V,25A,10 欧姆 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:330V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.76V @ 15V,120A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:47ns/176ns 封装/外壳:TO-220AB | |
| IGBT | IKZ50N65NH5XKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,50A 功率:273W 开关能量:350µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/252ns 测试条件:400V,25A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:46ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 | |
| IGBT | IKZ75N65NH5XKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:395W 开关能量:880µJ(开),520µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/412ns 测试条件:400V,37.5A,27 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:59ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 | |
| IGBT | IHW40N135R3FKSA1 | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,40A 功率:429W 开关能量:2.5mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/343ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IHW30N120R3FKSA1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,30A 功率:349W 开关能量:1.47mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/326ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IKW30N65NL5XKSA1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A 功率:227W 开关能量:560µJ(开),1.35mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:59ns/283ns 测试条件:400V,30A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:59ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| 光电晶体管 | LTR-3208E | 电压-集射极击穿（最大值）:30V 电流-集电极（Ic）（最大值）:3.12mA 电流-暗（Id）（最大值）:100nA 波长:940nm 视角:20° 功率:1/10W 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| RF晶体管 | BGR420H6327XTSA1 | FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:13V 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz 功率:3/25W 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-82A 封装/外壳:PG-SOT343-4 | |
| 达林顿晶体管 | ZXTC2045E6QTA | 集电极-射极饱和电压:375mV @ 15mA,750mA 直流电流增益hFE:180 @ 100mA,2V 封装/外壳:SOT-23-6 功率:700mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:1.5A ICBO:20nA(ICBO) 特征频率fT:265MHz,195MHz | |
| MOSFET | ZXMP7A17GQTA | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:160mΩ@2.1A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):635 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-223-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:2.6A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | ZXMP6A16DN8QTA | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.81W RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@2.9A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1021pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24.2nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.9A | |
| MOSFET | ZXMP10A13FQTA | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1Ω@600mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):141 pF @ 50 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.8 nC @ 5 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:600mA(Ta) 驱动电压:6V,10V | |
| MOSFET | ZXMC4559DN8TC | FET类型:N+P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.1W RdsOn(Max)@Id,Vgs:55mΩ@4.5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1063pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20.4nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.6A,2.6A | |
| MOSFET | ZXMC3F31DN8TA | FET类型:N+P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.8W RdsOn(Max)@Id,Vgs:24mΩ@7A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):608pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.8A,4.9A | |
| 达林顿晶体管 | ZTD09N50DE6QTA | 集电极-射极饱和电压:270mV @ 50mA,1A 直流电流增益hFE:200 @ 500mA,2V 封装/外壳:SOT-26 功率:1.1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:1A ICBO:10nA 特征频率fT:215MHz | |
| 达林顿晶体管 | ULN2003AS16-13 | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SO FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 达林顿晶体管 | MMDTA42-7-F | 集电极-射极饱和电压:500mV @ 2mA,20mA 直流电流增益hFE:40 @ 30mA,10V 封装/外壳:SOT-26 功率:300mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:500mA ICBO:100nA(ICBO) 特征频率fT:50MHz | |
| 达林顿晶体管 | MMDT2907AQ-7-F | 集电极-射极饱和电压:1.6V @ 50mA,500mA 直流电流增益hFE:100 @ 150mA,10V 封装/外壳:SOT-363 功率:200mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:PNP/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:600mA ICBO:10nA(ICBO) 特征频率fT:200MHz | |
| MOSFET | MMBF170Q-13-F | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:5Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):40 pF @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:500mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | HTMN5130SSD-13 | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.7W RdsOn(Max)@Id,Vgs:130mΩ@3A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):218.7pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:2.6A | |
| MOSFET | DMTH8012LK3-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@12A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1949 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMTH6010SK3-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:8mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1940 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):36.3 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:16.3A(Ta),70A(Tc) 驱动电压:10V | |
| MOSFET | DMTH6004SCTB-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):4.7W(Ta),136W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:3.4mΩ@100A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4556 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):95.4 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-263 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压:10V | |
| MOSFET | DMT8012LK3-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:17mΩ@12A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1949 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6010LFG-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),30A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6016LPS-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.23W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):864 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.6A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6016LFDF-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):820mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):864 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8.9A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6010LPS-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),113W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:8mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.5A(Ta),80A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6010LFG-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),30A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6008LFG-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2713 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):50.4 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),60A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6009LFG-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.08W(Ta),19.2W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@13.5A,10V 栅极电压Vgs:±16V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1925 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:11A(Ta),34A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6008LFG-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2713 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):50.4 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),60A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT3008LFDF-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@9A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):886 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT3008LFDF-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@9A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):886 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP6185SK3-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:150mΩ@12A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):708 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:9.4A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT10H010LPS-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta),139W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ@13A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3000 pF @ 50 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):71 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:9.4A(Ta),98A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMS2085LSD-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3.05A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):353 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.8 nC @ 10 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.3A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP6110SVT-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):969 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.2 nC @ 10 V 封装/外壳:TSOT-23-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP6050SSD-13 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W RdsOn(Max)@Id,Vgs:55mΩ@5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1293pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A | |
| MOSFET | DMP58D0LFB-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):470mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:8Ω@100mA,5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27 pF @ 25 V 封装/外壳:X1-DFN1006-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:180mA(Ta) 驱动电压:2.5V,5V | |
| MOSFET | DMP4065S-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):720mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:80mΩ@4.2A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):587 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.2 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4050SSDQ-13 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.25W RdsOn(Max)@Id,Vgs:50mΩ@6A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):674pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):13.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:4A | |
| MOSFET | DMP4047SSD-13 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.3W RdsOn(Max)@Id,Vgs:45mΩ@4.4A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1154pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):21.5nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.1A | |
| MOSFET | DMP4047SK3-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:45mΩ@4.4A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1328 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):23.2 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4025SFGQ-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):810mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:25mΩ@3A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1643 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33.7 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4015SSSQ-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.45W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:11mΩ@9.8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):47.5 nC @ 5 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:9.1A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4015SK3Q-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:11mΩ@9.8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):47.5 nC @ 5 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:14A(Ta),35A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4013LFG-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:13mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3426 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):68.6 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10.3A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP32D9UFZ-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):390mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:5Ω@100mA,4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):22.5 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.35 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN0606-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压:1.2V,10V | |
| MOSFET | DMP32D5SFB-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):100 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4 nC @ 10 V 封装/外壳:X1-DFN1006-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:400mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3068L-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:72mΩ@4.2A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):708 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15.9 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.3A(Ta) 驱动电压:1.8V,10V | |
| MOSFET | DMP32D4S-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):370mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@300mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):51.16 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.2 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3056L-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.38W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:50mΩ@6A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):642 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11.8 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3037LSS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:32mΩ@7A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):931 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):19.3 nC @ 10 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.8A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3036SFG-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:20mΩ@8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1931 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.7A(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMP3036SFG-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:20mΩ@8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1931 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.7A(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMP3028LK3-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:25mΩ@7A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1241 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:27A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3018SFK-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14.5mΩ@9.5A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4414 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):90 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2523-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10.2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3017SFK-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14mΩ@9.5A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4414 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):90 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2523-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10.4A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3012LPS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.29W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:9mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6807 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):139 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP26M7UFG-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:6.7mΩ@15A,4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5940 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):156 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:18A(Ta),40A(Tc) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP25H18DLFDE-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±40V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):81 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(E 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压:3.5V,10V | |
| MOSFET | DMP25H18DLFDE-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±40V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):81 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(E 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压:3.5V,10V | |
| MOSFET | DMP2240UWQ-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:150mΩ@2A,4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):320 pF @ 16 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP21D2UFA-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1Ω@200mA,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):49 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.8 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN0806-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:330mA(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP22M2UPS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ@25A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12826 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):476 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8(K 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压:2.5V,10V | |
| MOSFET | DMP213DUFA-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10Ω@200mA,4.5V 栅极电压Vgs:-8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27.2 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.35 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN0806-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:145mA(Ta) 驱动电压:2.7V,4.5V | |
| MOSFET | DMP210DUDJ-7 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:5.5Ω@100mA,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27.44pF @ 15V 封装/外壳:SOT-963 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:200mA | |
| MOSFET | DMP2100UFU-7 | FET类型:2 P 沟道(双)共漏 RdsOn(Max)@Id,Vgs:38mΩ@3.5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):906pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):21.4nC @ 10V 封装/外壳:U-DFN2030-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.7A | |
| MOSFET | DMP2060UFDB-7 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:90mΩ@2.9A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):881pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 8V 封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.2A | |
| MOSFET | DMP2047UCB4-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:47mΩ@1A,4.5V 栅极电压Vgs:-6V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):218 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.3 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-WLB1010-4 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.1A(Ta) 驱动电压:2.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2038USS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:38mΩ@5A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1496 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.5A(Ta) 驱动电压:2.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2033UVT-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:65mΩ@4.2A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):845 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2021UFDF-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2760 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):59 nC @ 8 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2033UVT-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:65mΩ@4.2A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):845 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2023UFDF-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:27mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1837 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):27 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.6A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2023UFDF-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:27mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1837 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):27 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.6A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2021UFDF-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2760 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):59 nC @ 8 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2002UPS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.9mΩ@25A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12826 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):585 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8(K 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压:2.5V,10V | |
| MOSFET | DMP1200UFR4-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):480mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:100mΩ@2A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):514 pF @ 5 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.8 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN1010-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP1046UFDB-7 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:61mΩ@3.6A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):915pF @ 6V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.9nC @ 8V 封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3.8A |