IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 达林顿晶体管 | BSP60,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1250mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:1000 集电极连续电流:-1000A |
| 达林顿晶体管 | BSP50,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 关断时间Toff:1300ns 功率:1.25W 特征频率fT:200MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:>2000,2000 集电极-射极饱和电压:45mV 集电极连续电流:1000A |
| 达林顿晶体管 | BSP61,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1250mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:1000 集电极连续电流:-1000A |
| 达林顿晶体管 | BCV29,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.3W 特征频率fT:220MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:>20000,20000 集电极-射极饱和电压:30mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | BCV61B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV46,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:10000 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | PMBTA14,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:125MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>10000,10000 集电极-射极饱和电压:30mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | PXTA42,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:100A |
| IGBT | IKY75N120CH3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,75A 功率:938W 开关能量:3.4mJ(开),2.9mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/303ns 测试条件:600V,75A,6 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:292ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 最大连续集电极电流:150 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:938W 晶体管数:1 Ohms 封装/外壳:TO-247 FET类型:P-Channel 引脚数目:4 开关速度:60kHz 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:5.1mm 高度:22.5mm 封装/外壳:15.9 x 5.1 x 22.5mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:4856pF 额定能量:6.3 最低工作温度:-40 °C |
| IGBT | IKY50N120CH3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,50A 功率:652W 开关能量:2.3mJ(开),1.9mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/296ns 测试条件:600V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:255ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 封装/外壳:PG-TO247-4 最大连续集电极电流:100 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 晶体管数:1 Ohms 功率:652W 封装/外壳:TO-247 FET类型:P-Channel 引脚数目:4 开关速度:60kHz 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:5.1mm 高度:22.5mm 封装/外壳:15.9 x 5.1 x 22.5mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:3269pF 额定能量:4.2 最低工作温度:-40 °C |
| IGBT | IKY40N120CH3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/280ns 测试条件:600V,40A,12 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:350ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-4 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,40A 功率:500W 开关能量:2.18mJ(开),1.3mJ(关) 封装/外壳:PG-TO247-4 |
| IGBT | IKQ40N120CT2XKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,40A 功率:500W 开关能量:3.1mJ(开),2.9mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/328ns 测试条件:600V,40A,12 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3-46 最大连续集电极电流:80 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 晶体管数:1 Ohms 功率:500W 封装/外壳:TO-247 FET类型:P-Channel 引脚数目:3 开关速度:20kHz 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:5.1mm 高度:21.1mm 封装/外壳:15.9 x 5.1 x 21.1mm 栅极电容:2385pF 额定能量:6 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+175 °C |
| IGBT | IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,40A 功率:500W 开关能量:3.3mJ(开),1.3mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/300ns 测试条件:400V,40A,12 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3-46 最大连续集电极电流:80 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:500W 晶体管数:1 Ohms 封装/外壳:TO-247 FET类型:P-Channel 引脚数目:3 开关速度:60kHz 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:5.1mm 高度:21.1mm 封装/外壳:15.9 x 5.1 x 21.1mm 最高工作温度:+175 °C 栅极电容:2385pF 额定能量:4.6 最低工作温度:-40 °C |
| IGBT | IKB20N65EH5 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TAPE & REEL td(off):160.0 ns tf:23.0 ns Technology:IGBT TRENCHSTOP™ 5 Irrm:8.5 A tr:21.0 ns Eoff (Hard Switching):0.13 mJ Ptot max:125.0 W td(on):19.0 ns Switching Frequency:TRENCHSTOP™5 30-100 kHz QGate:48.0 nC Eon:0.56 mJ VF:1.45 V VCE(sat):1.65 V IF max:40.0 A ICpuls max:80.0 A Voltage Class:650.0 V Qrr:500.0 nC Switching Frequency min max:30.0 kHz 100.0 kHz IC (@ 25°) max:38.0 A IFpuls max:60.0 A IC (@ 100°) max:25.0 A |
| 达林顿晶体管 | BCV61,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV47,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:220MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>10000,10000 集电极-射极饱和电压:60mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | BCV47,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:220MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>10000,10000 集电极-射极饱和电压:60mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | BCV48,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:10000 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | BST62,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:2000 集电极-发射极最大电压VCEO:-80V 集电极连续电流:-1000A |
| 达林顿晶体管 | BCV48,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:10000 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | BCV61B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV62C,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| IGBT | STGIPS10K60T | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) |
| IGBT | STGIPN3H60-H | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:3A 电压:600V 电压-隔离:1000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm) |
| IGBT | STGF7NB60SL | ST(意法半导体) | 系列:PowerMESH™ 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流-集电极(Icm):20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.6V @ 4.5V,7A 功率:25W 开关能量:4.1mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:1.1µs/5.2µs 测试条件:480V,7A,1 千欧,5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP |
| IGBT | RGT00TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,50A 功率:277W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/137ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:54ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247N |
| IGBT | BM63767S-VC | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:30A 电压:600V 电压 - 隔离:1500Vrms 封装/外壳:25-PowerDIP模块 |
| IGBT | SGW30N60FKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:41A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):112A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,30A 功率:250W 开关能量:1.29mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/291ns 测试条件:400V,30A,11 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 最大连续集电极电流:41 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 高度:20.95mm 封装/外壳:15.9 x 5.3 x 20.95mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C |
| IGBT | SGP02N120XKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6.2A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):9.6A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.6V @ 15V,2A 功率:62W 开关能量:220µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/260ns 测试条件:800V,2A,91 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 最大连续集电极电流:2 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:62 W 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:8.5mm 宽度:4.4mm 高度:9.25mm 封装/外壳:8.5 x 4.4 x 9.25mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C |
| IGBT | STGIPL20K60 | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500VDC 封装/外壳:38-PowerDIP 模块(1.146",29.10mm) |
| IGBT | STGIPS14K60 | ST(意法半导体) | 电流:12A 电压-隔离:2500VDC 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电压:600V 封装/外壳:25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) |
| IGBT | STGIPS20C60T-H | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) |