IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | SGD02N120 | 系列:SGD02N120 标准包装数量:2500 配置:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:1200 V 栅极发射机最大电压:± 20 V 集电极最大连续电流Ic:6.2 A 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 高度:2.3mm 长度:6.5mm 宽度:6.22mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | RGT50TS65DGC11n | 栅极/发射极最大电压:± 30 V 栅极—射极漏泄电流:± 200 nA 系列:RGT50TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.65 V 集电极最大连续电流 Ic:48 A 功率:174W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | RGT30NS65DGTLn: | 功率:133W 在25 C的连续集电极电流:30A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT30NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:30A 集电极连续电流:15A | |
| 三极管/双极型晶体管 | CTA2P1N-7-Fn: 0 | 封装/外壳:SOT-363 FET类型:PNP,N 通道 电压-额定:40V PNP,60V N 通道 额定电流:600mA PNP,115mA N 通道 | |
| 达林顿晶体管 | MUN5335DW1T1Gn: | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| IGBT | F3L100R07W2E3_B11 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:3-level Dimensions (length):56.7mm Housing:EasyPACK 2B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.45V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):48.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V | |
| 三极管/双极型晶体管 | LMN200B02-7n: 0 | 封装/外壳:SOT-363 FET类型:PNP 预偏压式,N 通道预偏压式 电压-额定:50V PNP,60V N 通道 额定电流:200mA PNP,115mA N 通道 | |
| IGBT | RGTH50TS65DGC11 | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A | |
| IGBT | RGT60TS65DGC11n | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:55A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT60TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:55A 集电极连续电流:30A | |
| IGBT | RGT16NS65DGTLn: | 功率:94W 在25 C的连续集电极电流:16A 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT16NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:16A 集电极连续电流:8A | |
| IGBT | RGTH50TS65GC11n | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A | |
| IGBT | RGTH40TS65GC11n | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | FF400R12KE3n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2KV 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:580A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2000W 高度:30.9mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK2145-BL(TE85L,F | FET类型:2N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):200 mV @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):6 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:SMV 功率:300 mW 工作温度:125°C(TJ) | |
| MOSFET | ZXMN3A04DN8TAn: | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.81W RdsOn(Max)@Id,Vgs:20mΩ@12.6A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1890pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):36.8nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.5A | |
| IGBT | RGT80TS65DGC11n | 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A | |
| IGBT | RGTH40TS65DGC11 | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | RGT8BM65DTLn: 0 | 功率:62W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8BM65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A | |
| IGBT | RGTH60TS65GC11n | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:58A 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH60TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:58A 集电极连续电流:30A | |
| IGBT | RGT40TS65DGC11n | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT40TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | IGW60T120 | 零件号别名:IGW60T120FKSA1 IGW60T120XK SP000013906 配置:Single 集电极最大连续电流 Ic:100 A 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:100A 功率:375W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:600nA 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| MOSFET | SSM6L35FU(TE85L,F) | FET功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动 FET类型:N+P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:3 欧姆 @ 50mA,4V Vgs(th):1V @ 1mA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 3V 产品状态:在售 封装/外壳:US6 功率:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:180mA,100mA | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK880GRTE85LFn | FET类型:N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):1.5 V @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):2.6 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:SC-70 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) 栅极电压Vgs:50 V | |
| IGBT | IKW20N60H3n: 0 | 系列:IKW20N60 标准包装数量:240 集电极-发射极最大电压VCEO:600 V 集电极-发射极饱和电压:1.95 V 栅极发射机最大电压:20 V 连续集电极电流在25 C:20 A 栅射极漏电电流:100 nA 功率散耗:170 W 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:170W 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IHW40N120R3FKSA1 | 系列:TrenchStop® IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,40A 功率:429W 开关能量:2.02mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:-/336ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IGP30N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:187W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极—射极漏泄电流:100nA | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK880-BL(TE85L,F) | FET类型:N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):1.5 V @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):6 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:SC-70 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) 栅极电压Vgs:50 V | |
| MOSFET | DMN65D8LW-7n: 0 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:3Ω@115mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):22 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.87 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| 达林顿晶体管 | TIP122px; | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:4V @ 20mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A,3V 功率:2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V 电流放大倍数最小值hFE_Min:1000 | |
| IGBT | IKW08T120 | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,8A 功率:70W 开关能量:1.37mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/450ns 测试条件:600V,8A,81 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:80ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IGW50N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.85V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:100A 功率:333W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK880-Y(TE85L,F) | FET类型:N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):1.5 V @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):1.2 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:USM 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) 栅极电压Vgs:50 V | |
| IGBT | IKP15N60T | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,15A 功率:130W 开关能量:570µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/188ns 测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:34ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 | |
| IGBT | IKP10N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:24A 功率:110W 高度:15.95mm 长度:10.36mm 宽度:4.57mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 系列:TRENCHSTOPIGBT 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IKW40N60H3n: 0 | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,40A 开关能量:1.68mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/197ns 测试条件:400V,40A,7.9 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:124ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:306W 系列:HighSpeed3 高度:20.7mm 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 栅极—射极漏泄电流:100nA | |
| MOSFET | SSM6N58NU,LFn: | FET功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:84毫欧 @ 2A,4.5V Vgs(th):1V @ 1mA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):129pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.8nC @ 4.5V 产品状态:在售 封装/外壳:6-UDFN(2x2) 功率:1W 工作温度:150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A | |
| IGBT | IGW20N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.4V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:170W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| MOSFET | ZXMN3A06DN8TAn: | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.8W RdsOn(Max)@Id,Vgs:35mΩ@9A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):796pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.5nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.9A | |
| MOSFET | ZXMN3F31DN8TAn: | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.8W RdsOn(Max)@Id,Vgs:24mΩ@7A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):608pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.7A | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK879-Y(TE85L,F) | FET类型:N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):400 mV @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):1.2 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:USM 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK2145-GR(TE85L,F | FET类型:2N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):200 mV @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):2.6 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:SMV 功率:300 mW 工作温度:125°C(TJ) | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK879-GR(TE85L,F) | FET类型:N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):400 mV @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):2.6 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:USM 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) | |
| IGBT | IGB10N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:24A 功率:110W 系列:TRENCHSTOPIGBT 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FS100R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:140A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:480W 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| MOSFET | DMG8822UTS-13n: | FET类型:2 N 沟道(双)共漏 RdsOn(Max)@Id,Vgs:25mΩ@8.2A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):841pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):9.6nC @ 4.5V 封装/外壳:8-TSSOP 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.9A(Ta) | |
| IGBT | FS450R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:600A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2100W 高度:17mm 长度:162mm 宽度:150mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FZ1600R17KE3n: | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:2300A 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FS150R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:205A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:700W 高度:12mm 长度:35.6mm 宽度:25.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| MOSFET | ZXMN2A04DN8TAn: | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.8W RdsOn(Max)@Id,Vgs:25mΩ@5.9A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1880pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22.1nC @ 5V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.9A | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK208-R(TE85L,F) | FET类型:N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):400 mV @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):300 uA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:S-Mini 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) 栅极电压Vgs:50 V 漏极电流(Id)-最大值:6.5 mA | |
| IGBT | RGTH00TS65DGC11 | 功率:277W 在25 C的连续集电极电流:85A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH00TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:50A | |
| IGBT | IKW75N60T | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:428W 高度:21.1mm 长度:16.03mm 宽度:5.16mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 系列:TRENCHSTOPIGBT 集电极连续电流:80A 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IKW40N120H3n: 0 | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,40A 开关能量:4.4mJ 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:30ns/290ns 测试条件:600V,40A,12 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:355ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.05V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:483W 系列:HighSpeed3 集电极最大连续电流 Ic:80A 栅极—射极漏泄电流:600nA | |
| IGBT | IKW20N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:166W 系列:TRENCHSTOP 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| JFET(结型场效应晶体管) | 2SK2145-Y(TE85L,F) | FET类型:2N-Channel 不同Id时电压-截止(VGSoff):200 mV @ 100 nA 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):1.2 mA @ 10 V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 10V 产品状态:在售 封装/外壳:SMV 功率:300 mW 工作温度:125°C(TJ) | |
| MOSFET | DMN2005DLP4K-7n | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@10mA,4V 封装/外壳:X2-DFN1310-6(B 类) 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:300mA | |
| IGBT | FS100R17N3E4n: | RoHS compliant:yes Configuration:Sixpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | IKW25N120H3n: 0 | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,25A 功率:326W 开关能量:2.65mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/277ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:290ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | FF225R17ME4n: 0 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Dual Dimensions (length):152.0mm Qualification:Industrial Housing:EconoDUAL™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):225.0 A VF (Tvj=25°C typ):1.8 V Dimensions (length):152.0 mm Applications:Drives ; Traction ; UPS ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95 V Dimensions (width):62.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | RGTH00TS65GC11n | 功率:277W 在25 C的连续集电极电流:85A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH00TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:50A | |
| IGBT | RGT40NS65DGTLn: | 功率:161W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT40NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A | |
| MOSFET | ZXMN2B03E6TAn: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:40mΩ@4.3A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1160 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14.5 nC @ 4.5 V 封装/外壳:SOT-23-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMT6010LFG-7n: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),30A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN2023UCB4-7n: | FET类型:2 N 沟道(双)共漏 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3333pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):37nC @ 4.5V 封装/外壳:X1-WLB1818-4 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:24V 连续漏极电流Id:6A(Ta) | |
| IGBT | FS75R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:105A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:350W 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | IKW30N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:187W 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 系列:TRENCHSTOPIGBT 集电极最大连续电流 Ic:60A 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IHW40N60RFn: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.1V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:305W 系列:RC 集电极最大连续电流 Ic:40A 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FP20R06W1E3n: 0 | 配置:Array7 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 在25 C的连续集电极电流:27A 高度:12mm 长度:62.8mm 宽度:33.8mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| MOSFET | DMP2104V-7n: 0 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):850mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:150mΩ@950mA,4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):320 pF @ 16 V 封装/外壳:SOT-563 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.1A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | ZXMN6A11DN8TAn: | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.8W RdsOn(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):330pF @ 40V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.7nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| MOSFET | DMN53D0LW-7n: 0 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@270mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):45.8 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.2 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:360mA(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMN601VK-7n: 0 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V 封装/外壳:SOT-563 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:305mA | |
| MOSFET | DMP56D0UV-7n: 0 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):400mW RdsOn(Max)@Id,Vgs:6Ω@100mA,4V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50.54pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.58nC @ 4V 封装/外壳:SOT-563 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:160mA | |
| MOSFET | DMN2028USS-13n: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:20mΩ@9.4A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1000 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11.6 nC @ 4.5 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.3A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| IGBT | FS200R12KT4Rn: | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):200.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.7V | |
| MOSFET | DMN62D0SFD-7n: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):30.2 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.87 nC @ 10 V 封装/外壳:X1-DFN1212-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:540mA(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMP2004VK-7n: 0 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:900mΩ@430mA,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):175pF @ 16V 封装/外壳:SOT-563 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:530mA | |
| MOSFET | SSM6N15AFE,LMn: | FET功能:逻辑电平门 FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:4 欧姆 @ 10mA,4V Vgs(th):1.5V @ 100uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13.5pF @ 3V 产品状态:在售 封装/外壳:ES6(1.6x1.6) 功率:150mW 工作温度:150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100mA | |
| IGBT | IKA15N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:18.3A 功率:35.7W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:15.95mm 长度:10.36mm 宽度:4.57mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| MOSFET | DMN63D0LT-7n: 0 | ||
| MOSFET | DMC2700UDM-7n: | FET类型:N+P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:400mΩ@600mA,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):60.67pF @ 16V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5V 封装/外壳:SOT-26 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.34A,1.14A | |
| IGBT | IHW20N120R3n: 0 | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.48V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:310W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 集电极连续电流:40A 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| MOSFET | DMG4710SSS-13n: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.54W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:12.5mΩ@11.7A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1849 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):43 nC @ 10 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.8A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN2019UTS-13n: | FET类型:2 N 沟道(双)共漏 RdsOn(Max)@Id,Vgs:18.5mΩ@7A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):143pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8.8nC @ 4.5V 封装/外壳:8-TSSOP 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.4A | |
| MOSFET | ZXMN10A08DN8TAn | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.25W RdsOn(Max)@Id,Vgs:250mΩ@3.2A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):405pF @ 50V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.7nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A | |
| MOSFET | DMN4026SSD-13n: | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:24mΩ@6A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1060pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):19.1nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7A | |
| MOSFET | DMN53D0LDW-13n: | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.6Ω@500mA,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):46pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V 封装/外壳:SOT-363 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:360mA | |
| MOSFET | DMN3135LVT-7n: | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:60mΩ@3.1A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):305pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4.1nC @ 4.5V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| MOSFET | DMN30H14DLY-13n | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14Ω@300mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):96 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-89-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:210mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | SSM6N44FE,LMn: | FET功能:逻辑电平门 FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:4 欧姆 @ 10mA,4V Vgs(th):1.5V @ 100uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8.5pF @ 3V 产品状态:在售 封装/外壳:ES6 功率:150mW 工作温度:150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100mA | |
| MOSFET | DMG1026UV-7n: 0 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@500mA,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):32pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.45nC @ 10V 封装/外壳:SOT-563 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:410mA | |
| MOSFET | DMN4031SSD-13n: | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:31mΩ@6A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):945pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.2A | |
| MOSFET | DMN53D0LDW-7n: | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.6Ω@500mA,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):46pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V 封装/外壳:SOT-363 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:360mA | |
| MOSFET | DMN601DWK-7n: 0 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V 封装/外壳:SOT-363 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:305mA | |
| MOSFET | DMN2005K-7n: 0 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.7Ω@200mA,2.7V 栅极电压Vgs:±10V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压:1.8V,2.7V | |
| MOSFET | DMP1045UFY4-7n: | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:32mΩ@4A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1291 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):23.7 nC @ 8 V 封装/外壳:DFN2015H4-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:5.5A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | ZXMN10A09KTCn: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@4.6A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1313 pF @ 50 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):26 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压:6V,10V | |
| MOSFET | ZXMN3A04KTCn: 0 | ||
| MOSFET | DMP1245UFCL-7n: | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):613mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:29mΩ@4A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1357.4 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):26.1 nC @ 8 V 封装/外壳:X1-DFN1616-6(E 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6.6A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMN3024SFG-7n: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:23mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):479 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.5A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V |