| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT |
| 型号编码 | RGT50TS65DGC11n |
| 说明 | IGBT TO-247-3 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 395 [库存更新时间：2025-04-02] |
| 栅极/发射极最大电压 | ± 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | ± 200 nA |
| 系列 | RGT50TS65D |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 集电极最大连续电流 Ic | 48 A |
| 功率 | 174W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C |
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