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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| MOSFET | ZXMP7A17GQTA | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:160mΩ@2.1A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):635 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-223-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:2.6A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | ZXMP6A16DN8QTA | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.81W RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@2.9A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1021pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24.2nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.9A | |
| MOSFET | ZXMP10A13FQTA | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1Ω@600mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):141 pF @ 50 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.8 nC @ 5 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:600mA(Ta) 驱动电压:6V,10V | |
| MOSFET | ZXMC4559DN8TC | FET类型:N+P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.1W RdsOn(Max)@Id,Vgs:55mΩ@4.5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1063pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20.4nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.6A,2.6A | |
| MOSFET | ZXMC3F31DN8TA | FET类型:N+P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.8W RdsOn(Max)@Id,Vgs:24mΩ@7A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):608pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.8A,4.9A | |
| MOSFET | MMBF170Q-13-F | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:5Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):40 pF @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:500mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | HTMN5130SSD-13 | FET类型:2N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.7W RdsOn(Max)@Id,Vgs:130mΩ@3A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):218.7pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:2.6A | |
| MOSFET | DMTH8012LK3-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@12A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1949 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMTH6010SK3-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:8mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1940 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):36.3 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:16.3A(Ta),70A(Tc) 驱动电压:10V | |
| MOSFET | DMTH6004SCTB-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):4.7W(Ta),136W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:3.4mΩ@100A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4556 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):95.4 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-263 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压:10V | |
| MOSFET | DMT8012LK3-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:17mΩ@12A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1949 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6010LFG-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),30A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6016LPS-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.23W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):864 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.6A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6016LFDF-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):820mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):864 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8.9A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6010LPS-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),113W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:8mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.5A(Ta),80A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6010LFG-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2090 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):41.3 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),30A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6008LFG-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2713 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):50.4 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),60A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6009LFG-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.08W(Ta),19.2W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@13.5A,10V 栅极电压Vgs:±16V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1925 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:11A(Ta),34A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT6008LFG-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta),41W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@20A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2713 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):50.4 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13A(Ta),60A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT3008LFDF-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@9A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):886 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT3008LFDF-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@9A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):886 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP6185SK3-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:150mΩ@12A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):708 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:9.4A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMT10H010LPS-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta),139W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ@13A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3000 pF @ 50 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):71 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:9.4A(Ta),98A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMS2085LSD-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3.05A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):353 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.8 nC @ 10 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.3A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP6110SVT-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):969 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.2 nC @ 10 V 封装/外壳:TSOT-23-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP6050SSD-13 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W RdsOn(Max)@Id,Vgs:55mΩ@5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1293pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A | |
| MOSFET | DMP58D0LFB-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):470mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:8Ω@100mA,5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27 pF @ 25 V 封装/外壳:X1-DFN1006-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:180mA(Ta) 驱动电压:2.5V,5V | |
| MOSFET | DMP4065S-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):720mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:80mΩ@4.2A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):587 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.2 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4050SSDQ-13 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.25W RdsOn(Max)@Id,Vgs:50mΩ@6A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):674pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):13.9nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:4A | |
| MOSFET | DMP4047SSD-13 | FET类型:2P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.3W RdsOn(Max)@Id,Vgs:45mΩ@4.4A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1154pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):21.5nC @ 10V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.1A | |
| MOSFET | DMP4047SK3-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:45mΩ@4.4A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1328 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):23.2 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4025SFGQ-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):810mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:25mΩ@3A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1643 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33.7 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4015SSSQ-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.45W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:11mΩ@9.8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):47.5 nC @ 5 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:9.1A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4015SK3Q-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:11mΩ@9.8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):47.5 nC @ 5 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:14A(Ta),35A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP4013LFG-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:13mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3426 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):68.6 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10.3A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP32D9UFZ-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):390mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:5Ω@100mA,4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):22.5 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.35 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN0606-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压:1.2V,10V | |
| MOSFET | DMP32D5SFB-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):100 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4 nC @ 10 V 封装/外壳:X1-DFN1006-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:400mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3068L-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:72mΩ@4.2A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):708 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15.9 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.3A(Ta) 驱动电压:1.8V,10V | |
| MOSFET | DMP32D4S-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):370mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@300mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):51.16 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.2 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3056L-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.38W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:50mΩ@6A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):642 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11.8 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3037LSS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:32mΩ@7A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):931 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):19.3 nC @ 10 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.8A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3036SFG-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:20mΩ@8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1931 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.7A(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMP3036SFG-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:20mΩ@8A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1931 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.7A(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMP3028LK3-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:25mΩ@7A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1241 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:27A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3018SFK-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14.5mΩ@9.5A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4414 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):90 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2523-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10.2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3017SFK-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14mΩ@9.5A,10V 栅极电压Vgs:±25V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4414 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):90 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2523-6 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10.4A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP3012LPS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.29W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:9mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6807 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):139 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMP26M7UFG-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:6.7mΩ@15A,4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5940 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):156 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:18A(Ta),40A(Tc) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP25H18DLFDE-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±40V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):81 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(E 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压:3.5V,10V | |
| MOSFET | DMP25H18DLFDE-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14Ω@200mA,10V 栅极电压Vgs:±40V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):81 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 10 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(E 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压:3.5V,10V | |
| MOSFET | DMP2240UWQ-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:150mΩ@2A,4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):320 pF @ 16 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP21D2UFA-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1Ω@200mA,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):49 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.8 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN0806-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:330mA(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP22M2UPS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ@25A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12826 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):476 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8(K 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压:2.5V,10V | |
| MOSFET | DMP213DUFA-7B | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10Ω@200mA,4.5V 栅极电压Vgs:-8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27.2 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.35 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN0806-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:145mA(Ta) 驱动电压:2.7V,4.5V | |
| MOSFET | DMP210DUDJ-7 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:5.5Ω@100mA,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27.44pF @ 15V 封装/外壳:SOT-963 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:200mA | |
| MOSFET | DMP2100UFU-7 | FET类型:2 P 沟道(双)共漏 RdsOn(Max)@Id,Vgs:38mΩ@3.5A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):906pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):21.4nC @ 10V 封装/外壳:U-DFN2030-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.7A | |
| MOSFET | DMP2060UFDB-7 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:90mΩ@2.9A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):881pF @ 10V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 8V 封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.2A | |
| MOSFET | DMP2047UCB4-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:47mΩ@1A,4.5V 栅极电压Vgs:-6V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):218 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.3 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-WLB1010-4 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.1A(Ta) 驱动电压:2.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2038USS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:38mΩ@5A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1496 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.5A(Ta) 驱动电压:2.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2033UVT-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:65mΩ@4.2A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):845 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2021UFDF-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2760 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):59 nC @ 8 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2033UVT-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:65mΩ@4.2A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):845 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2023UFDF-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:27mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1837 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):27 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.6A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2023UFDF-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:27mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1837 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):27 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.6A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2021UFDF-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:16mΩ@7A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2760 pF @ 15 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):59 nC @ 8 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP2002UPS-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.9mΩ@25A,10V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12826 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):585 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI5060-8(K 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压:2.5V,10V | |
| MOSFET | DMP1200UFR4-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):480mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:100mΩ@2A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):514 pF @ 5 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.8 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X2-DFN1010-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压:1.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP1046UFDB-7 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:61mΩ@3.6A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):915pF @ 6V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.9nC @ 8V 封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3.8A | |
| MOSFET | DMP1046UFDB-13 | FET类型:2P-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:61mΩ@3.6A,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):915pF @ 6V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.9nC @ 8V 封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3.8A | |
| MOSFET | DMP1045UFY4-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:32mΩ@4A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1291 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):23.7 nC @ 8 V 封装/外壳:DFN2015H4-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:5.5A(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMNH6042SSD-13 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:50mΩ@5.1A,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):584pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):4.2nC @ 4.5V 封装/外壳:8-SO 工作温度:-55℃~175℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:16.7A(Tc) | |
| MOSFET | DMP1022UFDF-13 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:14.8mΩ@4A,4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2712 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):48.3 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-DFN2020-6(F 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:9.5A(Ta) 驱动电压:1.2V,4.5V | |
| MOSFET | DMP1012UCB9-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):890mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@2A,4.5V 栅极电压Vgs:-6V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1060 pF @ 4 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.5 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-WLB1515-9 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压:2.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMP1011UCB9-7 | FET类型:P-Channel Pd-功率耗散(Max):890mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:10mΩ@2A,4.5V 栅极电压Vgs:-6V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1060 pF @ 4 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10.5 nC @ 4.5 V 封装/外壳:U-WLB1515-9 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压:2.5V,4.5V | |
| MOSFET | DMN7022LFG-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:22mΩ@7.2A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2737 pF @ 35 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):56.5 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:7.8A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN66D0LW-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:6Ω@115mA,5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):23 pF @ 25 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:115mA(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMN65D8LFB-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:3Ω@115mA,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):25 pF @ 25 V 封装/外壳:X1-DFN1006-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压:5V,10V | |
| MOSFET | DMN65D8LDWQ-7 | ||
| MOSFET | DMN65D8LDWQ-13 | ||
| MOSFET | DMN63D8LDWQ-7 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.8Ω@250mA,10V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):22pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.87nC @ 10V 封装/外壳:SOT-363 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:220mA | |
| MOSFET | DMN63D0LT-7 | ||
| MOSFET | DMN62D1LFD-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@100mA,4V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):36 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.55 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X1-DFN1212-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:400mA(Ta) 驱动电压:1.8V,4V | |
| MOSFET | DMN62D1LFD-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@100mA,4V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):36 pF @ 25 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.55 nC @ 4.5 V 封装/外壳:X1-DFN1212-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:400mA(Ta) 驱动电压:1.8V,4V | |
| MOSFET | DMN62D0UW-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@100mA,4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):32 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.5 nC @ 4.5 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:340mA(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMN62D0UDW-7 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@100mA,4.5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):32pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.5nC @ 4.5V 封装/外壳:SOT-363 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:350mA | |
| MOSFET | DMN62D0U-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):380mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@100mA,4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):32 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.5 nC @ 4.5 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:380mA(Ta) 驱动电压:1.8V,4.5V | |
| MOSFET | DMN61D9UW-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):28.5 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:340mA(Ta) 驱动电压:1.8V,5V | |
| MOSFET | DMN61D9UDW-7 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):28.5pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.4nC @ 4.5V 封装/外壳:SOT-363 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:350mA | |
| MOSFET | DMN61D9U-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):370mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):28.5 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.4 nC @ 4.5 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:380mA(Ta) 驱动电压:1.8V,5V | |
| MOSFET | DMN61D8LVTQ-7 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@150mA,5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12.9pF @ 12V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74nC @ 5V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:630mA | |
| MOSFET | DMN61D8LVTQ-13 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@150mA,5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12.9pF @ 12V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74nC @ 5V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:630mA | |
| MOSFET | DMN6140LQ-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:140mΩ@1.8A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):315 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8.6 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN61D8LVT-13 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@150mA,5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12.9pF @ 12V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74nC @ 5V 封装/外壳:TSOT-23 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:630mA | |
| MOSFET | DMN61D8L-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):390mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@150mA,5V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12.9 pF @ 12 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74 nC @ 5 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:470mA(Ta) 驱动电压:3V,5V | |
| MOSFET | DMN61D8L-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):390mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@150mA,5V 栅极电压Vgs:±12V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12.9 pF @ 12 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):0.74 nC @ 5 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:470mA(Ta) 驱动电压:3V,5V | |
| MOSFET | DMN6140L-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:140mΩ@1.8A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):315 pF @ 40 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):8.6 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN6075S-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3.2A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):606 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.3 nC @ 10 V 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN6070SFCL-7 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:85mΩ@1.5A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):606 pF @ 20 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.3 nC @ 10 V 封装/外壳:X1-DFN1616-6(E 类) 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压:4V,10V | |
| MOSFET | DMN6013LFG-13 | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) RdsOn(Max)@Id,Vgs:13mΩ@10A,10V 栅极电压Vgs:±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2577 pF @ 30 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):55.4 nC @ 10 V 封装/外壳:PowerDI3333-8 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.3A(Ta),45A(Tc) 驱动电压:4.5V,10V | |
| MOSFET | DMN5L06DMKQ-7 | FET类型:2N-Channel RdsOn(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V 封装/外壳:SOT-26 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:305mA |