IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 达林顿晶体管 | PMBTA13,215 | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:125MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>5000,5000 集电极-射极饱和电压:30mV 集电极连续电流:500A | |
| 达林顿晶体管 | ZXTC6718MCTA | 集电极-射极饱和电压:300mV @ 125mA, 4.5A, 300mV @ 350mA, 3.5A 直流电流增益hFE:200 @ 2A,2V / 150 @ 2A,2V 封装/外壳:W-DFN3020-8 功率:1.7W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:4.5A,3.5A ICBO:100nA 特征频率fT:140MHz,180MHz | |
| 达林顿晶体管 | ZXTC2045E6QTA | 集电极-射极饱和电压:375mV @ 15mA,750mA 直流电流增益hFE:180 @ 100mA,2V 封装/外壳:SOT-23-6 功率:700mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:1.5A ICBO:20nA(ICBO) 特征频率fT:265MHz,195MHz | |
| 达林顿晶体管 | ZTD09N50DE6QTA | 集电极-射极饱和电压:270mV @ 50mA,1A 直流电流增益hFE:200 @ 500mA,2V 封装/外壳:SOT-26 功率:1.1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:1A ICBO:10nA 特征频率fT:215MHz | |
| 达林顿晶体管 | ULN2003AS16-13 | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SO FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 达林顿晶体管 | MMDTA42-7-F | 集电极-射极饱和电压:500mV @ 2mA,20mA 直流电流增益hFE:40 @ 30mA,10V 封装/外壳:SOT-26 功率:300mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:500mA ICBO:100nA(ICBO) 特征频率fT:50MHz | |
| 达林顿晶体管 | MMDT2907AQ-7-F | 集电极-射极饱和电压:1.6V @ 50mA,500mA 直流电流增益hFE:100 @ 150mA,10V 封装/外壳:SOT-363 功率:200mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:PNP/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:600mA ICBO:10nA(ICBO) 特征频率fT:200MHz | |
| 达林顿晶体管 | DMMT5551S-7-F | 集电极-射极饱和电压:200mV @ 5mA,50mA 直流电流增益hFE:80 @ 10mA,5V 封装/外壳:SOT-26 功率:300mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:200mA ICBO:50nA(ICBO) 特征频率fT:300MHz | |
| 达林顿晶体管 | BCM857BV-7 | 集电极-射极饱和电压:400mV @ 5mA,100mA 直流电流增益hFE:200 @ 2mA,5V 封装/外壳:SOT-563 功率:357mW 工作温度:-65℃~150℃(TJ) FET类型:PNP/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA ICBO:15nA(ICBO) 特征频率fT:175MHz | |
| 达林顿晶体管 | ULN2803APG | 安装:THT 封装/外壳:DIP18 工作温度:-40...85°C 输入电压:30V 输出电压:2...50V 输出电流:0.5A 通道数量:8 集成电路种类:晶体管阵列 集成电路类型:driver | |
| 达林顿晶体管 | ULN2003D1013TR | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:NPN 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO | |
| 达林顿晶体管 | ULN2003A | 电压 - 负载:50V(最大) 电流 - 输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-DIP 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:NPN 接口:并联 | |
| 达林顿晶体管 | TIP127 | 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:4V @ 20mA,5A 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A,3V Power-Max:2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V 电流放大倍数最小值hFE_Min:1000 | |
| 达林顿晶体管 | TIP122 | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:4V @ 20mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A,3V 功率:2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V 电流放大倍数最小值hFE_Min:1000 | |
| 达林顿晶体管 | MUN5335DW1T1G | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 达林顿晶体管 | MC1413BDR2G | 封装/外壳:16-SOIC | |
| 达林顿晶体管 | BC857BS-13-F | 集电极-射极饱和电压:400mV @ 5mA,100mA 直流电流增益hFE:220 @ 2mA,5V 封装/外壳:SOT-363 功率:200mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) FET类型:PNP/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA ICBO:15nA(ICBO) 特征频率fT:100MHz | |
| 达林顿晶体管 | MUN5335DW1T1Gn: | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 达林顿晶体管 | TIP122px; | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:4V @ 20mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A,3V 功率:2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V 电流放大倍数最小值hFE_Min:1000 | |
| 达林顿晶体管 | BCV 47 E6327n: | 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000, 10000, 4000, 2000 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 零件号别名:BCV47E6327HTSA1 BCV47E6327XT SP000010866 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流:0.1 uA 系列:BCV47 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm | |
| 达林顿晶体管 | BCV 46 E6327n: | 配置:Single FET类型:P-Channel 集电极—发射极最大电压 VCEO:60V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:80V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV46 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000,4000,10000 | |
| 达林顿晶体管 | ULN2003AS16-13 | Diodes(达尔（美台）) | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SO FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 达林顿晶体管 | BCV 27 E6327 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single FET类型:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:40V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV27 直流电流增益 hFE 最大值:4000 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:4000 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 62C E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:250mV 最大直流电集电极电流:100mA 特征频率fT:250MHz 系列:BCV62 直流电流增益 hFE 最大值:800 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:420 功率:3/10W 集电极—基极电压 VCBO:30V 集电极连续电流:100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV46E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV 62A E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:250mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BCV62 直流电流增益 hFE 最大值:220 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:125 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 61B E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 最大直流电集电极电流:0.1A 特征频率fT:250MHz 系列:BCV61 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | TBD62083AFWG(Z.EHZ) | Toshiba(东芝) | |
| 达林顿晶体管 | ULN2803AFWG | Toshiba(东芝) | |
| 达林顿晶体管 | BCV 62C E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:250mV 最大直流电集电极电流:100mA 特征频率fT:250MHz 系列:BCV62 直流电流增益 hFE 最大值:800 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:420 功率:3/10W 集电极—基极电压 VCBO:30V 集电极连续电流:100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 62B E6433 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:650mV 最大直流电集电极电流:100mA 特征频率fT:250MHz 系列:BCV62 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:0.1A 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 62B E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 最大直流电集电极电流:0.1A 特征频率fT:250MHz 系列:BCV62 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 62A E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:250mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BCV62 直流电流增益 hFE 最大值:220 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:125 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 61C E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BCV61 直流电流增益 hFE 最大值:800 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:420 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 61B E6433 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 系列:BCV61 |
| 达林顿晶体管 | BCV 61B E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 最大直流电集电极电流:0.1A 特征频率fT:250MHz 系列:BCV61 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 功率:3/10W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 49 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT89-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV 48 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT89-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV 47 E6433 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single FET类型:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:60V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:80V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV47 直流电流增益 hFE 最大值:2000 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000 |
| 达林顿晶体管 | BCV 47 E6327 | Infineon(英飞凌) | 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000, 10000, 4000, 2000 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 零件号别名:BCV47E6327HTSA1 BCV47E6327XT SP000010866 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流:0.1 uA 系列:BCV47 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm |
| 达林顿晶体管 | BCV 46 E6327 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single FET类型:P-Channel 集电极—发射极最大电压 VCEO:60V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:80V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV46 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000,4000,10000 |
| 达林顿晶体管 | BCV 29 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT89-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV 28 H6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT89-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV 27 E6327 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single FET类型:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:40V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV27 直流电流增益 hFE 最大值:4000 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:4000 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV 26 E6327 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single FET类型:P-Channel 集电极—发射极最大电压 VCEO:30V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:40V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV26 直流电流增益 hFE 最大值:4000 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:4000 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 达林顿晶体管 | BCV62CE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV62BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV61BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN,基极集电极接线盒 额定电流:100mA 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压:30V 封装/外壳:SOT-143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV62AE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV61CE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN,基极集电极接线盒 额定电流:100mA 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV61BE6433HTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN,基极集电极接线盒 电压:30V 额定电流:100mA 封装/外壳:TO-253-4 封装/外壳:SOT-143-4 FET类型:NPN 最大直流集电极电流:100 mA 最大集电极-发射极电压:30 V 封装/外壳:SOT-143 功率:3/10W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:电流反射镜 最大发射极-基极电压:6 V 最大工作频率:250 MHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:2 最大基极-发射极饱和电压:900 mV 最高工作温度:+150 °C 高度:0.90mm 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 最大集电极-发射极饱和电压:600 mV 宽度:1.3mm 长度:2.9mm |
| 达林顿晶体管 | BCV49H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT89 封装/外壳:SOT-89-3 FET类型:NPN 最大连续集电极电流:500 mA 最大集电极-发射极电压:60 V 最大发射极-基极电压:10 V 封装/外壳:SOT-89 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:1 Ohms 最小直流电流增益:2000 最大基极-发射极饱和电压:1.5 V 最大集电极-基极电压:80 V 最大集电极-发射极饱和电压:1 V 最大集电极-基极截止电流:10µA 宽度:2.5mm 功率:1W 最高工作温度:+150 °C 长度:4.50mm 高度:1.50mm 基电流:100mA 封装/外壳:4.5 x 2.5 x 1.5mm |
| 达林顿晶体管 | BCV48H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT89 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV47E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:170MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV46E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV29H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT89 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV28H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT89 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV27E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:170MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV26E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV62CE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV61BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN,基极集电极接线盒 额定电流:100mA 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压:30V 封装/外壳:SOT-143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV62BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV61BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN,基极集电极接线盒 额定电流:100mA 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压:30V 封装/外壳:SOT-143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV61CE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 NPN,基极集电极接线盒 额定电流:100mA 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | ULN2003AS16-13 | Diodes(达尔（美台）) | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SO FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 达林顿晶体管 | BCV62B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV61B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BSP52,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 关断时间Toff:1300ns 功率:1.25W 特征频率fT:200MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:>2000,2000 集电极-射极饱和电压:80mV 集电极连续电流:1000A |
| 达林顿晶体管 | ULN2003AS16-13 | Diodes(达尔（美台）) | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SO FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 达林顿晶体管 | ULN2003AS16-13 | Diodes(达尔（美台）) | 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:7 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:并联 电压-负载:50V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:反相 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SO FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 达林顿晶体管 | BCV46E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV62AE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV27E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:170MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV26E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV62CE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT143-4-1 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV46E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV47,235 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:220MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>10000,10000 集电极-射极饱和电压:60mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | BCV62C,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV61A,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV72,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:100A |
| 达林顿晶体管 | BSP62,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1250mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:1000 集电极连续电流:-1000A |
| 达林顿晶体管 | BSP50,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 关断时间Toff:1300ns 功率:1.25W 特征频率fT:200MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:>2000,2000 集电极-射极饱和电压:45mV 集电极连续电流:1000A |
| 达林顿晶体管 | BST51,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 关断时间Toff:1500ns 功率:1.3W 特征频率fT:200MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:>2000,2000 集电极-射极饱和电压:60mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | PXTA42,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:100A |
| 达林顿晶体管 | BCV47E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:170MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV62,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV47,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:220MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>10000,10000 集电极-射极饱和电压:60mV 集电极连续电流:500A |
| 达林顿晶体管 | PMBTA64,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 特征频率fT:125MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:20000 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | PXTA92,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40 集电极-发射极最大电压VCEO:-300V 集电极连续电流:-100A |
| 达林顿晶体管 | BCV62BE6433HTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:TO-253-4 封装/外壳:PG-SOT143-4 |
| 达林顿晶体管 | BCV47E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA,5V 功率:0.36W 频率-跃迁:170MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 达林顿晶体管 | BCV 47 E6433 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single FET类型:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:60V 发射极 - 基极电压 VEBO:10V 集电极—基极电压 VCBO:80V 最大直流电集电极电流:0.5A 最大集电极截止电流:0.1uA 系列:BCV47 直流电流增益 hFE 最大值:2000 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000 |
| 达林顿晶体管 | BCV26,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:20000 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | BCV28,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:1300mW 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:20000 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | BCV72,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:100A |
| 达林顿晶体管 | BCV26,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:20000 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | BCV62A,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV62C,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 达林顿晶体管 | BCV26,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:20000 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-500A |
| 达林顿晶体管 | BST51,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 关断时间Toff:1500ns 功率:1.3W 特征频率fT:200MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:>2000,2000 集电极-射极饱和电压:60mV 集电极连续电流:500A |