产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
三极管/双极型晶体管 |
HN1B04FU-GR,LF |
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不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 产品状态:在售 封装/外壳:US6 功率:200mW 工作温度:125°C(TJ) 晶体管类型:NPN,PNP 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):150mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率-跃迁:150MHz |
三极管/双极型晶体管 |
HN1A01FU-GR,LF |
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不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 产品状态:在售 封装/外壳:US6 功率:200mW 工作温度:125°C(TJ) 晶体管类型:2 PNP(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):150mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率-跃迁:80MHz |
三极管/双极型晶体管 |
CTA2P1N-7-Fn: 0 |
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封装/外壳:SOT-363 FET类型:PNP,N 通道 电压-额定:40V PNP,60V N 通道 额定电流:600mA PNP,115mA N 通道 |
三极管/双极型晶体管 |
LMN200B02-7n: 0 |
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封装/外壳:SOT-363 FET类型:PNP 预偏压式,N 通道预偏压式 电压-额定:50V PNP,60V N 通道 额定电流:200mA PNP,115mA N 通道 |