| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | DMN2019UTS-13n: |
| 说明 | MOSFET 8-TSSOP |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 399 [库存更新时间：2025-04-07] |
| FET类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 18.5mΩ@7A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 143pF @ 10V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.8nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 5.4A |
IC普拉斯 元器件现货